[發(fā)明專利]極紫外（EUV）輻射源

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580047065.4
• 申請日: 2015-09-01
• 公開（公告）號: CN106605450A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設計）人: V·V·德什潘德;S·V·德什潘德;D·克利斯;O·格魯申克夫;S·克里什南
• 申請（專利權）人: 國際商業(yè)機器公司
• 主分類號: H05G2/00
• 分類號: H05G2/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 酆迅;董典紅

極紫外(EUV)輻射源粒料(8)包括至少一個金屬顆粒(30)，該至少一個金屬顆粒嵌入在重惰性氣體團簇(20)內，該重惰性氣體團簇包含在惰性氣體殼團簇(10)內。EUV輻射源組件可以通過至少一個第一激光脈沖和至少一個第二激光脈沖的順序照射得以激活。每個第一激光脈沖通過從至少一個金屬顆粒(30)分離外軌道電子并將電子釋放到重惰性氣體團簇(20)中而產生等離子體。每個第二激光脈沖放大嵌入在重惰性氣體團簇(20)中的等離子體，觸發(fā)激光驅動的自放大過程。經放大的等離子體引發(fā)重惰性氣體和其他構成原子中的軌道間電子躍遷，導致EUV輻射的發(fā)射。激光脈沖單元可以與源粒料產生單元組合以形成集成的EUV源系統(tǒng)。

技術領域

本發(fā)明實施例涉及一種極紫外(EUV)輻射源和一種用于產生 EUV輻射的裝置。

背景技術

極紫外(EUV)技術是指使用極紫外(EUV)波長的光刻技術。目前EUV技術致力于產生具有大約13.5nm波長的窄帶電磁輻射。可替選地，EUV輻射可以被稱作軟x射線，因為其落入在x射線和紫外頻帶之間。軌道間原子和分子發(fā)射是產生這種電磁輻射的潛在來源。

理論上，源目標可以是固體、液體液滴或氣體。已知的EUV源類型包括放電產生等離子體(DPP)系統(tǒng)、激光產生等離子體 (LPP)系統(tǒng)和同步輻射源系統(tǒng)。在這些系統(tǒng)中，已知LPP系統(tǒng)用來提供高強度EUV輻射，且目前是有廣泛的研究工作的主題。

發(fā)明內容

一種極紫外(EUV)輻射源粒料(pellet)包括嵌入在重惰性氣體團簇內的至少一個金屬顆粒，所述重惰性氣體團簇包含在惰性氣體殼團簇內。EUV輻射源組件可以通過至少一個第一激光脈沖和至少一個第二激光脈沖的順序照射來激活。每個第一激光脈沖通過從至少一個金屬顆粒分離外軌道電子并釋放電子進入重惰性氣體團簇來產生等離子體。每個第二激光脈沖放大嵌入在重惰性氣體團簇中的等離子體，觸發(fā)激光驅動的自放大過程，其中越多的等離子體能量引發(fā)越多的自由電子且反之亦然。經放大的等離子體引發(fā)重惰性氣體和其它構成原子中的軌道間電子躍遷，導致EUV輻射的發(fā)射。激光脈沖單元可以與源粒料產生單元組合以形成集成的EUV源系統(tǒng)。

根據(jù)本公開的一個方面，提供一種用于產生極紫外(EUV)輻射的裝置。所述裝置包括：極紫外(EUV)輻射源粒料產生器，被配置為產生EUV輻射粒料。每個EUV輻射粒料包含：至少一個金屬顆粒，其是金屬元素的原子或金屬元素的多個原子的聚集體；重惰性氣體團簇，被嵌入有該至少一個金屬顆粒；以及惰性氣體殼團簇，被嵌入有該重惰性氣體團簇。惰性氣體團簇是選自He、Ne和 Ar的輕惰性氣體原子的固相或液相聚集體。所述裝置進一步包括至少一個照射源。每個照射源被配置成朝著EUV照射粒料的路徑照射激光束。

根據(jù)本公開的另一方面，提供一種極紫外(EUV)輻射源粒料，該EUV輻射源粒料包括：至少一個金屬顆粒；重惰性氣體團簇，被嵌入有該至少一個金屬顆粒；以及惰性氣體殼團簇，被嵌入有該重惰性氣體團簇且包含選自He、Ne和Ar的輕惰性氣體的團簇。

本發(fā)明的方面涉及通過雙激光脈沖來激活的極紫外(EUV)輻射源以及用于通過產生和激活EUV輻射來產生EUV輻射的裝置。

附圖說明

現(xiàn)在將參考附圖僅通過示例的方式來描述本發(fā)明的實施例，其中：

圖1A是根據(jù)本公開實施例的第一示例性極紫外(EUV)源粒料的示意性圖示。

圖1B是根據(jù)本公開實施例的第二示例性EUV輻射源粒料的示意性圖示。

圖1C是根據(jù)本公開實施例的第三示例性EUV輻射源粒料的示意性圖示。

圖2是根據(jù)本公開第一實施例的用于產生EUV輻射的第一示例性裝置的示意性視圖。

圖3A是根據(jù)本公開實施例的在通過第一激光束照射后的示例性 EUV輻射源粒料的示意性視圖。