[發明專利]發光器件封裝和包括該發光器件封裝的發光裝置有效
| 申請號: | 201580046571.1 | 申請日: | 2015-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN106663733B | 公開(公告)日: | 2019-08-02 |
| 發明(設計)人: | 李尚烈;崔珍炯;洪俊憙 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/62 | 分類號: | H01L33/62 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 張浴月;李玉鎖 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 封裝 包括 裝置 | ||
1.一種發光器件封裝,包括:
發光器件,包括發光結構,所述發光結構包括第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層;
第一引線框和第二引線框,布置成互相間隔開;
第一焊接部和第二焊接部,分別布置在所述第一引線框和所述第二引線框上;以及
第一焊盤和第二焊盤,分別布置在所述第一焊接部和第二焊接部與所述第一導電半導體層和第二導電半導體層之間,
其中所述第一焊盤或第二焊盤中的至少一個包括圓角部分或倒角部分中的至少一個,
其中所述第一焊盤和第二焊盤具有底面形狀,其中第一焊盤和第二焊盤布置成關于所述發光器件的中心互相間隔開,
其中所述第一焊盤包括:
第一-第一邊緣;以及
第一-第二邊緣,所述第一-第二邊緣位于比所述第一-第一邊緣離所述發光器件的所述中心更遠處,
其中所述第二焊盤包括:
第二-第一邊緣;以及
第二-第二邊緣,所述第二-第二邊緣位于比所述第二-第一邊緣離所述發光器件的所述中心更遠處,以及
其中所述圓角部分或所述倒角部分位于所述第一-第二邊緣或第二-第二邊緣中的至少一個處,以及
其中所述圓角部分或所述倒角部分不位于所述第一-第一邊緣和第二-第一邊緣中的每個處。
2.根據權利要求1所述的發光器件封裝,其中所述圓角部分包括圓角拐角或彎曲側面中的至少一個,以及
其中所述倒角部分包括倒角拐角或傾斜側面中的至少一個。
3.根據權利要求2所述的發光器件封裝,其中所述第一焊盤和第二焊盤中的每個包括多個拐角,以及
其中所述圓角拐角或倒角拐角包括在所述多個拐角之中位于離所述發光器件的所述中心最遠處的拐角。
4.根據權利要求2所述的發光器件封裝,其中所述彎曲側面包括所述第一焊盤和第二焊盤中的每個的位于離所述發光器件的所述中心最遠處的側面。
5.根據權利要求2所述的發光器件封裝,其中所述彎曲側面包括至少一個轉折點。
6.根據權利要求1所述的發光器件封裝,其中所述發光器件還包括第一接觸層和第二接觸層,所述第一接觸層和第二接觸層分別布置在所述第一導電半導體層和第二導電半導體層與所述第一焊盤和第二焊盤之間。
7.根據權利要求6所述的發光器件封裝,其中所述第一焊盤和所述第一接觸層具有不同的熱膨脹系數,以及
其中所述第二焊盤和所述第二接觸層具有不同的熱膨脹系數。
8.根據權利要求6所述的發光器件封裝,其中所述第一焊盤通過穿過所述第二接觸層、所述第二導電半導體層和所述有源層連接到所述第一導電半導體層,
其中所述發光器件還包括布置在所述第一焊盤與所述第二接觸層、第二導電半導體層和所述有源層中的每一個之間的絕緣層,以及
其中所述絕緣層與所述第一焊盤和第二焊盤中的每個具有不同的熱膨脹系數。
9.根據權利要求1所述的發光器件封裝,其中所述第一焊盤中包括的圓角部分的第一曲率半徑不同于所述第二焊盤中包括的圓角部分的第二曲率半徑。
10.根據權利要求1所述的發光器件封裝,其中所述第一焊盤中包括的圓角部分的第一曲率半徑等于所述第二焊盤中包括的圓角部分的第二曲率半徑。
11.根據權利要求1所述的發光器件封裝,其中所述第一焊盤中包括的圓角部分的第一曲率半徑大于所述第二焊盤中包括的圓角部分的第二曲率半徑。
12.根據權利要求1所述的發光器件封裝,其中所述第一焊盤中包括的圓角部分的第一曲率半徑小于所述第二焊盤中包括的圓角部分的第二曲率半徑。
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