[發(fā)明專利]用于包括唯一標(biāo)識符的封裝體的正面封裝級別序列化

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580045860.X
• 申請日: 2015-08-26
• 公開（公告）號: CN106796892B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: C.畢曉普;S.A.丹尼爾;C.M.斯坎倫
• 申請（專利權(quán)）人: 德卡技術(shù)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/538
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邱軍

一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法可包括提供多個半導(dǎo)體裸芯，其中每個半導(dǎo)體裸芯包括有源表面和與所述有源表面相對的背面。該方法可包括形成在所述晶片中的多個半導(dǎo)體裸芯中的每個的有源表面上方延伸的堆積互連結(jié)構(gòu)，以及形成作為堆積互連結(jié)構(gòu)中的層的一部分的用于多個半導(dǎo)體裸芯中的每個的唯一識別標(biāo)記，同時形成所述堆積互連結(jié)構(gòu)的層。堆積互連結(jié)構(gòu)的層可包括用于多個半導(dǎo)體裸芯中的每個的唯一識別標(biāo)記和用于半導(dǎo)體器件的功能性二者。每個唯一識別標(biāo)記可傳達(dá)其相應(yīng)的半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識。該方法還可包括將多個半導(dǎo)體裸芯單片化成多個半導(dǎo)體器件。

相關(guān)專利申請

本專利申請要求提交于2014年8月26日的美國臨時申請No.62/042,183的權(quán)益，該臨時申請的公開內(nèi)容全文據(jù)此以引用方式并入。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開整體涉及半導(dǎo)體器件和封裝體，更具體地講涉及使用封裝級別序列化進(jìn)行半導(dǎo)體封裝體和封裝體部件(諸如半導(dǎo)體裸芯)的標(biāo)識、跟蹤或它們二者。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件普遍存在于現(xiàn)代電子產(chǎn)品中。半導(dǎo)體器件在電子部件的數(shù)量和密度方面有差別。分立半導(dǎo)體器件一般包含一種類型的電子部件，例如發(fā)光二極管(LED)、小信號晶體管、電阻器、電容器、電感器以及功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。集成半導(dǎo)體器件通常包含幾百到幾百萬個電子部件。集成半導(dǎo)體器件的實例包括微控制器、微處理器、電荷耦合器件(CCD)、太陽能電池以及數(shù)字微鏡器件(DMD)。

半導(dǎo)體器件執(zhí)行寬泛范圍的功能，諸如信號處理、高速計算、發(fā)射和接收電磁信號、控制電子設(shè)備、將太陽光轉(zhuǎn)換成電力以及為電視顯示器創(chuàng)建視覺投影。半導(dǎo)體器件存在于娛樂、通信、功率變換、網(wǎng)絡(luò)、計算機(jī)和消費(fèi)品的領(lǐng)域中。半導(dǎo)體器件也存在于軍事應(yīng)用、航空、汽車、工業(yè)控制器和辦公設(shè)備中。

半導(dǎo)體器件充分利用半導(dǎo)體材料的電氣性質(zhì)。半導(dǎo)體材料的原子結(jié)構(gòu)允許通過施加電場或基極電流或者通過摻雜工藝來操縱其電導(dǎo)率。摻雜的步驟將雜質(zhì)引入到半導(dǎo)體材料中以操縱和控制半導(dǎo)體器件的電導(dǎo)率。

半導(dǎo)體器件包含有源和無源電氣結(jié)構(gòu)。包括雙極型和場效應(yīng)晶體管的有源結(jié)構(gòu)控制電流的流動。通過改變摻雜水平和電場或基極電流的施加，晶體管促進(jìn)或限制電流的流動。包括電阻器、電容器和電感器的無源結(jié)構(gòu)產(chǎn)生執(zhí)行各種電氣功能所必需的電壓與電流之間的關(guān)系。無源和有源結(jié)構(gòu)被電連接以形成電路，所述電路使半導(dǎo)體器件能夠執(zhí)行高速計算和其他有用功能。

半導(dǎo)體器件一般是使用兩個復(fù)雜的制造工藝(即，前端制造和后端制造)進(jìn)行制造，每個制造工藝可能涉及幾百個步驟。前端制造涉及在半導(dǎo)體晶片的表面上形成多個半導(dǎo)體裸芯。如本文所用的術(shù)語“半導(dǎo)體裸芯”指代單數(shù)和復(fù)數(shù)兩者形式的詞，并且因此可以指代單個半導(dǎo)體器件和多個半導(dǎo)體器件兩者。在前端制造、或在原生晶片上制造半導(dǎo)體裸芯期間，每個半導(dǎo)體裸芯是通常相同的，并且包含通過電連接有源和無源部件形成的電路。單個的半導(dǎo)體裸芯可用標(biāo)識符諸如半導(dǎo)體裸芯背面上的激光標(biāo)記來標(biāo)記，以標(biāo)識、跟蹤半導(dǎo)體裸芯或它們二者。半導(dǎo)體裸芯的標(biāo)記可在從原生半導(dǎo)體晶片單片化半導(dǎo)體裸芯之前。后端制造可涉及從成晶晶片單片化單個的半導(dǎo)體裸芯并封裝該裸芯，以提供結(jié)構(gòu)支撐和環(huán)境隔離。半導(dǎo)體裸芯封裝體的標(biāo)記也可發(fā)生在后端制造期間。在后端制造期間，半導(dǎo)體裸芯和半導(dǎo)體封裝體的標(biāo)記和標(biāo)識可通過使用激光標(biāo)記或油墨印刷實現(xiàn)，以通過封裝和測試來識別半導(dǎo)體封裝的晶片和帶。

發(fā)明內(nèi)容

從說明書和附圖以及權(quán)利要求書來看，上述和其他方面、特征和優(yōu)點對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將是顯而易見的。