[發明專利]用于包括唯一標識符的封裝體的正面封裝級別序列化

有效

• 申請號: 201580045860.X
• 申請日: 2015-08-26
• 公開（公告）號: CN106796892B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: C.畢曉普;S.A.丹尼爾;C.M.斯坎倫
• 申請（專利權）人: 德卡技術股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/538
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供多個半導體裸芯，其中每個半導體裸芯包括有源表面和與所述有源表面相對的背面；

形成在晶片中的所述多個半導體裸芯中的每個的所述有源表面上方延伸的堆積互連結構；

形成用于所述多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記作為所述堆積互連結構中的層的一部分，同時形成所述堆積互連結構的所述層，其中所述堆積互連結構的所述層包括用于所述多個半導體裸芯中的每個的所述唯一識別標記和用于所述半導體器件的功能性二者，其中每個唯一識別標記傳達其相應的半導體裸芯的唯一標識；以及

將所述多個半導體裸芯單片化成多個半導體器件,

其中由所述每個唯一識別標記傳達的其相應的所述半導體裸芯的所述唯一標識包括：源晶片標識、和所述半導體裸芯在所述源晶片中的x、y位置。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

形成所述堆積互連結構的所述層作為導電層；

形成用于所述多個半導體裸芯中的每個的所述唯一識別標記作為所述導電層的第一部分；以及

形成所述導電層的第二部分作為重新分布層(RDL)。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述堆積互連結構中、并且遠離所述半導體器件的外表面形成用于所述多個半導體裸芯中的每個的所述唯一識別標記，使得用于所述多個半導體裸芯中的每個的所述唯一識別標記免受所述半導體封裝體的外表面處的損壞。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述堆積互連結構中的位置處形成用于所述多個半導體裸芯中的每個的所述唯一識別標記，所述位置從所述半導體器件的外部是光學檢測的。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括形成所述唯一識別標記作為可機讀的二維碼或字母數字標記。

6.根據權利要求1所述的方法，其中由所述相應的唯一識別標記中的每個傳達的信息還包括：重構的晶片或面板標識，以及所述半導體器件在所述重構的晶片中的x、y位置。

7.根據權利要求6所述的方法，還包括在形成所述堆積互連結構之前，通過在所述多個半導體裸芯周圍設置密封劑來形成所述重構的晶片。

8.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供多個半導體裸芯，其中每個半導體裸芯包括有源表面和與所述有源表面相對的背面；

形成在所述多個半導體裸芯中的每個的所述有源表面上方延伸的功能層，所述功能層還包括用于所述多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記，

其中每個唯一識別標記傳達其相應的半導體裸芯的唯一標識；以及

單片化所述多個半導體裸芯，

其中由所述每個唯一識別標記傳達的其相應的所述半導體裸芯的所述唯一標識包括：源晶片標識、源晶片、所述半導體裸芯在所述源晶片中的x、y位置、重構的晶片或面板標識、以及所述半導體器件在所述重構的晶片中的x、y位置。

9. 根據權利要求8所述的方法，還包括：

形成包括堆積互連結構的所述功能層；以及

在形成所述堆積互連結構的同時，形成用于所述多個半導體裸芯中的每個的所述唯一識別標記。

10. 根據權利要求9所述的方法，還包括：

形成用于所述多個半導體裸芯中的每個的所述唯一識別標記作為所述堆積互連結構的第一部分；以及

形成所述堆積互連結構的第二部分作為重新分布層(RDL)。

11.根據權利要求9所述的方法，還包括采用無掩模圖案化系統在所述堆積結構中形成所述唯一識別標記和所述功能層。

12.根據權利要求8所述的方法，還包括形成遠離半導體封裝體的外表面的用于所述多個半導體裸芯中的每個的所述唯一識別標記，使得用于所述多個半導體裸芯中的每個的所述唯一識別標記免受所述半導體器件的外表面處的損壞。