[發明專利]元件制造方法及轉印基板有效
| 申請號: | 201580045821.X | 申請日: | 2015-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN106605294B | 公開(公告)日: | 2020-01-21 |
| 發明(設計)人: | 奈良圭;中積誠;西康孝 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L21/336 | 分類號: | H01L21/336;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司: | 11127 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人: | 王濤;湯在彥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 元件 制造 方法 轉印基板 | ||
能減輕電子元件制造業者的負擔,且制造高精度電子元件。將構成電子元件的至少一部分積層構造體形成于轉印基板即第1基板上后,將積層構造體(52)轉印至第2基板(P2)上的元件制造方法,具備:第1步驟,藉由于第1基板(P1)上形成第1導電層(52a),于第1導電層(52a)上形成功能層(52b),于功能層(52b)上形成第2導電層(52c),以形成積層構造體(52);以及第2步驟,以第2導電層(52c)位于第2基板(P2)側的方式使第1基板(P1)與第2基板(P2)暫時緊貼,以將積層構造體(52)轉印至第2基板(P2)。
技術領域
本發明是關于形成有構成電子元件的至少一部分的積層構造體的轉印基板、與藉由將形成于該轉印基板上的積層構造體轉印至被轉印基板以制造電子元件的元件制造方法。
背景技術
于日本特開2006-302814號公報中揭示有一種有機EL層的形成方法。簡單說明之,首先是藉由涂布法(噴射方式等)于第1無端皮帶形成空穴輸送層,藉由涂布法(噴射方式等)于第2無端皮帶形成發光層,藉由涂布法(噴射方式等)于第3無端皮帶形成電子輸送層。接著,在從供應卷筒供應的片狀基板轉印形成于第1無端皮帶的空穴輸送層,其后,將形成于第2無端皮帶的發光層轉印至空穴輸送層上,接著,將形成于第3無端皮帶的電子輸送層轉印至發光層上,藉此形成有機EL層。
發明內容
然而,例如在制造薄膜晶體管等包含半導體元件的電子元件的場合,為了提升半導體元件的性能或良率或使特性穩定,較佳為在容易控制膜厚等真空空間進行成膜,通過如日本特開2006-302814號公報所記載技術的轉印方式是難以制造高精度的電子元件。
另一方面,雖一般大多是進行于玻璃基板上制造電子元件,并將完成的電子元件從玻璃基板轉印至其他最終基板(例如柔性樹脂膜或塑料板)的手法,但此情形下,電子元件的制造業者是在真空空間中進行成膜而將構成電子元件的層形成于玻璃基板,或依據電子元件的積層構造反復進行利用了光刻的顯影處理、蝕刻處理、CVD處理、濺鍍處理等而作成電子元件后,再將完成的電子元件轉印至最終基板。因此,電子元件的制造業者,除了花費使用用以實施將電子元件的層構造形成于玻璃基板上的多數成膜制造工藝的設備來將完成的電子元件制作于玻璃基板上的制造成本以外,還必須花費將玻璃基板上的電子元件轉印(轉接)至最終基板上的制造成本(設備)。是以,難以壓低最終的電子元件(LCD方式或有機EL方式的顯示面板、觸控面板等)的產品價格,對電子元件的制造業者的負擔甚大。
本發明的第1態樣,為一種元件制造方法,將構成電子元件的至少一部分積層構造體形成于第1基板上后,將前述積層構造體轉印至第2基板上,其特征在于,具備:第1步驟,藉由于前述第1基板上形成導電性材料所形成的第1導電層,于前述第1導電層上形成絕緣性及半導體的至少一材料所形成的功能層,于前述功能層上形成導電性材料所形成的第2導電層,以形成前述積層構造體;以及第2步驟,以前述第2導電層位于前述第2基板側的方式使前述第1基板與前述第2基板暫時接近或緊貼,以將前述積層構造體轉印至前述第2基板。
本發明的第2態樣,為一種轉印基板,是用以在被轉印基板轉印構成電子元件的至少一部分積層構造體,其特征在于:于前述轉印基板的表面形成有前述積層構造體,前述積層構造體是以使用導電性材料形成于前述轉印基板上的第1導電層、使用絕緣性及半導體的至少一材料形成于前述第1導電層上的功能層、以及使用導電性材料形成于前述功能層上的第2導電層所構成。
本發明的第3態樣,為一種轉印基板,是為了于形成包含半導體元件的電子元件的產品基板上轉印構成前述電子元件的至少一部分積層構造體而擔載前述積層構造體,其特征在于:前述積層構造體,是從前述轉印基板的表面側以使用導電性材料同樣地或選擇性地形成的第1導電層、使用絕緣性材料或顯示半導體特性的材料同樣地或選擇性地形成的功能層、以及使用導電性材料同樣地或選擇性地形成的第2導電層的順序積層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





