[發明專利]元件制造方法及轉印基板

有效

• 申請號: 201580045821.X
• 申請日: 2015-08-24
• 公開（公告）號: CN106605294B
• 公開（公告）日: 2020-01-21
• 發明（設計）人: 奈良圭;中積誠;西康孝
• 申請（專利權）人: 株式會社尼康
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/10
• 代理公司: 11127 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 王濤;湯在彥

1.一種元件制造方法，將構成電子元件的至少一部分積層構造體形成于第1基板上后，將前述積層構造體轉印至第2基板上，其特征在于，具備：

第1步驟，藉由于前述第1基板上形成導電性材料所形成的第1導電層，于前述第1導電層上形成絕緣性及半導體的至少一材料所形成的功能層，于前述功能層上形成導電性材料所形成的第2導電層，以形成前述積層構造體；以及

第2步驟，以前述第2導電層位于前述第2基板側的方式使前述第1基板與前述第2基板暫時接近或緊貼，以將前述積層構造體轉印至前述第2基板，

于前述第1步驟與前述第2步驟之間或前述第2步驟之后，具備對前述第2導電層或前述第1導電層施以利用光圖案化法的加工處理以形成用以檢測前述第2基板位置的對準標記的第3步驟。

2.如權利要求1所述的元件制造方法，其具備第4步驟，該第4步驟是從成為轉印至前述第2基板的前述積層構造體的表面的前述第1導電層側，對前述積層構造體施以追加處理。

3.如權利要求2所述的元件制造方法，其中，前述電子元件是薄膜晶體管；

前述第1步驟包含對前述第2導電層施以利用光圖案化法的加工處理以形成柵極電極的步驟；

前述第4步驟包含對前述積層構造體的前述第1導電層施以利用光圖案化法的加工處理以形成源極電極及漏極電極的步驟。

4.如權利要求3所述的元件制造方法，其中，將前述功能層以絕緣層或半導體層與絕緣層的積層來構成。

5.如權利要求3所述的元件制造方法，其中，前述電子元件是底接觸型的薄膜晶體管；

前述功能層藉由絕緣性材料構成；

前述第4步驟包含在前述源極電極及前述漏極電極之間形成半導體層的步驟。

6.如權利要求3所述的元件制造方法，其中，前述電子元件是頂接觸型的薄膜晶體管；

前述功能層是以使用半導體材料堆積于前述第1導電層上的半導體層、與使用絕緣性材料堆積于前述半導體層上的絕緣層構成。

7.如權利要求1所述的元件制造方法，其中，前述電子元件是頂接觸型的薄膜晶體管；

前述第1步驟，是在形成前述功能層前，對前述第1導電層施以利用光圖案化法的加工處理以形成源極電極及漏極電極后，于前述源極電極及前述漏極電極之間形成半導體層；

在形成前述第2導電層后，對前述第2導電層施以利用光圖案化法的加工處理以形成柵極電極。