[發明專利]保護元件及安裝體

有效

• 申請號: 201580045807.X
• 申請日: 2015-08-31
• 公開（公告）號: CN106796857B
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發明（設計）人: 米田吉弘
• 申請（專利權）人: 迪睿合株式會社
• 主分類號: H01H37/76
• 分類號: H01H37/76;H01H85/11
• 代理公司: 北京摯誠信奉知識產權代理有限公司 11338
• 代理人: 邢悅;王永輝

1.一種保護元件，包括：

絕緣基板；

發熱體，其配置于所述絕緣基板；

發熱體引出電極，其與所述發熱體電連接；以及

可熔導體，其具有配置于所述絕緣基板的表面、因熱而熔融的熔斷部，以及設置于所述熔斷部的兩端、與外部電路連接的一對端子部，通過所述一對端子部之間熔斷而將所述外部電路的電流路徑切斷，

具有一對端子部的所述可熔導體具有低熔點金屬層和高熔點金屬層，

所述可熔導體還具有：相對的一對第1側緣部，其通過由所述高熔點金屬層被覆而形成為比所述可熔導體的主面部厚；相對的一對第2側緣部，其形成為比所述第1側緣部薄的厚度，且構成內層的所述低熔點金屬層從構成外層的所述高熔點金屬層露出，

將一對所述第1側緣部設為所述端子部。

2.根據權利要求1所述的保護元件，所述可熔導體和所述發熱體引出電極連接。

3.根據權利要求1或2所述的保護元件，其中，

所述一對端子部通過與所述絕緣基板嵌合，從而使所述端子部朝向所述絕緣基板的背面側。

4.根據權利要求3所述的保護元件，其中，

所述絕緣基板形成有與所述可熔導體嵌合的嵌合凹部。

5.根據權利要求1或2所述的保護元件，其中，

所述一對端子部從所述熔斷部向所述絕緣基板的表面側突出，

所述保護元件具有：

發熱體電極，其形成于所述絕緣基板的表面，與所述發熱體的開放端連接；以及

外部連接端子，其通過與所述發熱體電極連接而向所述絕緣基板的表面側突出。

6.根據權利要求1或2所述的保護元件，其中，

在所述絕緣基板的表面設置有散熱電極，所述散熱電極與所述可熔導體連接并吸收所述可熔導體的熱。

7.根據權利要求6所述的保護元件，其中，

所述散熱電極經由通孔與設置于所述絕緣基板的背面的端子部相連。

8.根據權利要求1或2所述的保護元件，其中，

所述可熔導體在所述一對端子部之間并聯有多個熔斷部。

9.根據權利要求8所述的保護元件，其中，

在多個所述熔斷部之間設置有絕緣壁。

10.根據權利要求1或2所述的保護元件，其中，

多個所述可熔導體并聯，在所述可熔導體之間設置有絕緣壁。

11.根據權利要求1或2所述的保護元件，其中，

所述發熱體形成于所述絕緣基板的表面并且由絕緣構件被覆，或者形成于所述絕緣基板的表面所形成的絕緣構件的內部，

所述發熱體引出電極形成于所述絕緣構件上。

12.根據權利要求1或2所述的保護元件，其中，

所述發熱體形成于所述絕緣基板的背面，由絕緣構件被覆。

13.根據權利要求1或2所述的保護元件，其中，

所述發熱體形成于所述絕緣基板的內部。

14.根據權利要求1或2所述的保護元件，其中，

所述發熱體形成于所述絕緣基板的表面，

所述可熔導體與所述發熱體相鄰地配置于所述絕緣基板的表面。

15.根據權利要求1所述的保護元件，其中，

所述低熔點金屬層侵蝕所述高熔點金屬層而將其熔斷。

16.根據權利要求15所述的保護元件，其中，

所述低熔點金屬層是Sn或者含40％以上的Sn的合金，所述高熔點金屬層是Ag_、Cu_、或者以Ag或者Cu為主要成分的合金。