[發明專利]發光二極管

有效

• 申請號: 201580045770.0
• 申請日: 2015-08-24
• 公開（公告）號: CN106605306B
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: 李素拉;蔡鐘炫
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/62;H01L33/08
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;尹淑梅

1.一種發光裝置，所述發光裝置包括焊接到安裝襯底的第一接合焊盤和第二接合焊盤，

其中第一接合焊盤通過第一連接電極與第一電極連接，第二接合焊盤通過第二連接電極與第二電極連接，第一電極和第二電極分別電連接到第一導電型半導體層和第二導電型半導體層，并且第一接合焊盤和第二接合焊盤中的每個包括形成在焊球可接觸區域中的兩個或多個線形接合焊盤，

所述兩個或多個線形接合焊盤中的至少兩個彼此面對，并且

非導電區域存在于彼此面對的所述至少兩個線形接合焊盤之間。

2.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述兩個或多個線形接合焊盤中的至少兩個彼此分離。

3.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述兩個或多個線形接合焊盤中的至少兩個彼此連接。

4.根據權利要求1所述的發光裝置，其中第一接合焊盤和第二接合焊盤中的至少一個包括n個線形接合焊盤和將所述n個線形接合焊盤彼此連接的至少n-1個連接部分，其中，n≥2。

5.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述線形接合焊盤具有200μm或更小的寬度。

6.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述線形接合焊盤具有40μm或更大的寬度。

7.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述線形接合焊盤的面積是所述焊球可接觸區域的面積的40％或更多。

8.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述第一連接電極形成在設置在所述第一電極上的上絕緣層的開口中。

9.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述第二連接電極形成在設置在所述第二電極上的下絕緣層和設置在所述第一電極上的上絕緣層的開口中。

10.根據權利要求1所述的發光裝置，其中第一接合焊盤和第二接合焊盤彼此分離，并且

其中所述發光裝置包括電連接到所述第一接合焊盤的第一導電型半導體層、電連接到所述第二接合焊盤的第二導電型半導體層、以及插入在所述第一導電型半導體層和所述第二導電型半導體層之間的有源層，所述有源層被分成兩個或多個部分。

11.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述發光裝置進一步包括氮化物基半導體堆疊，所述氮化物基半導體堆疊包括所述第一導電型半導體層、所述第二導電型半導體層以及插入在所述第一導電型半導體層和所述第二導電型半導體層之間的有源層，所述氮化物基半導體堆疊具有通過所述第二導電型半導體層和所述有源層暴露所述第一導電型半導體層的區域，

暴露所述第一導電型半導體層的所述區域包括孔，

所述第一電極通過所述孔接觸所述第一導電型半導體層，并且

設置在所述孔的至少一些孔上的所述第一電極的部分由第一接合焊盤所覆蓋。

12.根據權利要求11所述的發光裝置，其中所述孔包括：

第一孔；

與所述第一孔分離的第二孔；以及

連接到所述第二孔并從所述第二孔延伸的第三孔，

所述第三孔具有比所述第一孔和所述第二孔更小的寬度。

13.根據權利要求12所述的發光裝置，其中

所述第一接合焊盤覆蓋設置在所述第一孔和所述第二孔上的所述第一電極的部分。

14.根據權利要求13所述的發光裝置，其中所述第三孔從所述第二孔朝所述第二接合焊盤延伸，并且所述第三孔的至少部分設置在所述第一接合焊盤和所述第二接合焊盤之間的部分下方。