[發(fā)明專利]導(dǎo)電性粘合片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580045646.4
• 申請(qǐng)日: 2015-08-24
• 公開（公告）號(hào): CN106661397B
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大高翔;植田貴洋;松下大雅;松下香織;宮田壯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 琳得科株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C09J7/30
• 分類號(hào): C09J7/30;B32B7/02;B32B27/00;B32B27/18;C09J9/02;C09J11/04;C09J123/02;C09J123/22;C09J125/06;C09J133/00;C09J167/00;C09J201/00;H01B1/20;H01B1/
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王利波

1.一種導(dǎo)電性粘合片，其至少具有粘合性導(dǎo)電層(X)及非粘合性導(dǎo)電層(Y)，其中，

所述導(dǎo)電性粘合片具有依次疊層基材、非粘合性導(dǎo)電層(Y)及粘合性導(dǎo)電層(X)而成的結(jié)構(gòu)，

粘合性導(dǎo)電層(X)是由粘合性組合物形成的層，該粘合性組合物包含粘合性樹脂(x1)及平均長徑比為1.5以上的碳系填料(x2)，

該粘合性組合物中包含的碳系填料(x2)的含量相對(duì)于粘合性樹脂(x1)100質(zhì)量份為0.01～15質(zhì)量份，

非粘合性導(dǎo)電層(Y)是包含選自導(dǎo)電性高分子、碳系填料及金屬氧化物中的1種以上導(dǎo)電材料的層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性粘合片，其中，單獨(dú)的粘合性導(dǎo)電層(X)的表面電阻率(ρ_SX)為1.0×10²～1.0×10¹⁰Ω/□。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性粘合片，其中，單獨(dú)的非粘合性導(dǎo)電層(Y)的表面電阻率(ρ_SY)為1.0×10^-2～1.0×10⁸Ω/□。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電性粘合片，其中，單獨(dú)的非粘合性導(dǎo)電層(Y)的表面電阻率(ρ_SY)為1.0×10^-2～1.0×10⁸Ω/□。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性粘合片，其中，所述粘合性組合物中包含的碳系填料(x2)為碳納米材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電性粘合片，其中，所述粘合性組合物中包含的碳系填料(x2)為碳納米材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電性粘合片，其中，所述粘合性組合物中包含的碳系填料(x2)為碳納米材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電性粘合片，其中，所述粘合性組合物中包含的碳系填料(x2)為碳納米材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性粘合片，其中，非粘合性導(dǎo)電層(Y)是包含選自聚噻吩、PEDOT-PSS、碳納米材料及ITO(氧化銦錫)中的1種以上導(dǎo)電材料的層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性粘合片，其中，非粘合性導(dǎo)電層(Y)中包含的導(dǎo)電材料的密度為0.8～2.5g/cm³。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電性粘合片，其中，非粘合性導(dǎo)電層(Y)中包含的導(dǎo)電材料的密度為0.8～2.5g/cm³。

12.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性粘合片，其中，所述粘合性組合物中包含的粘合性樹脂(x1)包含選自丙烯酸類樹脂、聚氨酯類樹脂、聚異丁烯類樹脂、苯乙烯類樹脂、聚酯類樹脂及聚烯烴類樹脂中的1種以上粘合性樹脂。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電性粘合片，其中，所述粘合性組合物中包含的粘合性樹脂(x1)包含選自丙烯酸類樹脂、聚氨酯類樹脂、聚異丁烯類樹脂、苯乙烯類樹脂、聚酯類樹脂及聚烯烴類樹脂中的1種以上粘合性樹脂。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的導(dǎo)電性粘合片，其中，所述粘合性組合物中包含的粘合性樹脂(x1)包含選自丙烯酸類樹脂、聚氨酯類樹脂、聚異丁烯類樹脂、苯乙烯類樹脂、聚酯類樹脂及聚烯烴類樹脂中的1種以上粘合性樹脂。

15.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性粘合片，其中，粘合性導(dǎo)電層(X)的厚度(t_X)為1～1200μm。