[發明專利]用于外延腔室的襯墊

有效

• 申請號: 201580045428.0
• 申請日: 2015-08-14
• 公開（公告）號: CN106605288B
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發明（設計）人: 劉樹坤;穆罕默德·圖格魯利·薩米爾;亞倫·米勒
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/324;H01L21/67
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

本文公開的實施方式描述一種襯墊組件，該襯墊組件包括多個單獨分開的氣體通路。該襯墊組件提供跨正受處理的基板上的流動參數的控制，這些參數諸如流速、密度、方向與空間位置。利用根據本實施方式的襯墊組件，跨正受處理的基板的工藝氣體可特定地經調整以用于單個的工藝。

背景

技術領域

本公開內容的實施方式一般地涉及用在半導體處理設備中的襯墊。

背景技術

用于制造半導體器件的一些工藝在升高的溫度下執行，這些工藝例如快速熱處理、外延沉積、化學氣相沉積、物理氣相沉積、與電子束固化。通常，由一或多個熱源于處理腔室中將正受處理的基板加熱到期望溫度。該一或多個熱源一般是安裝在腔室主體外，從而由該熱源生成的能量輻射至定位在腔室主體內的基板上。

處理氣體通常從氣體入口供應至腔室，且由連接腔室的泵送系統維持這些處理氣體在腔室內流動。常規腔室中的氣體分布可能遍及腔室不均勻。例如，接近氣體入口處的氣體分布與接近泵送通口處的氣體分布可能不同，且接近邊緣區域的氣體分布可能與接近中央區域的氣體分布不同。盡管基板的連續旋轉可降低氣體分布的不均勻性，但當均勻性的需求增加時，單獨該旋轉所實現的改善可能不足。

因此，需要一種具有改善的氣流分布的熱反應器。

發明內容

本文公開的實施方式包括用在半導體處理腔室中的襯墊。一個實施方式中，一種襯墊組件可包括：圓筒狀主體，該圓筒狀主體具有外表面與內表面，該外表面具有外周邊，該外周邊小于該半導體處理腔室的周邊，該內表面形成處理空間的壁；以及多個氣體通路，這些氣體通路形成為與該圓筒狀主體相連；排氣通口，定位在該多個氣體通路對面；交叉流通口，定位成與該排氣通口不平行；以及熱感測通口，定位成與該交叉流通口分開。

另一實施方式中，一種襯墊組件可包括：上襯墊，該上襯墊包括：圓筒狀上主體，該圓筒狀上主體具有上突出部；以及多個上入口，形成為與該圓筒狀主體相連；上排氣通口，定位成大約平行于該多個上入口；以及上交叉流通口，定位成大約垂直于該排氣通口；以及下襯墊，包括：圓筒狀下主體，具有接收槽以接收上突出部；以及多個下入口，形成為與該圓筒狀主體相連，該多個下入口與該多個上入口一同界定多個氣體通路；下排氣通口，流體連接該上排氣通口；下交叉流通口，可流體連接至該上交叉流通口；以及熱感測通口，與該下交叉流通口間隔開。

另一實施方式中，一種襯墊組件可包括：上襯墊，該上襯墊包括：圓筒狀上主體，該圓筒狀上主體具有上突出部；以及多個上入口，形成為與該圓筒狀主體相連，該多個上入口的中線定位在從對分線量起的約90度之處且位于第一平面中；上排氣通口，形成在該多個上入口對面，該排氣通口的中線定位在從對分線量起的約270度之處且位于該第一平面中；以及上交叉流通口，定位在從對分線量起的約0度之處且位于該第一平面中；以及下襯墊，包括：圓筒狀下主體，具有接收槽，該接收槽用于接收該上突出部；以及多個下入口，形成為與該圓筒狀主體相連，該多個下入口結合該多個上入口以形成多個氣體通路，該多個下入口定位在第二平面中，該第二平面與該第一平面不同；下排氣通口，流體連接該上排氣通口，該下排氣通口定位在實質垂直于該多個下入口處；下交叉流通口，流體連接該上交叉流通口，該下交叉流通口定位在偏離平行于該排氣通口之處；以及熱感測通口，定位成與該下交叉流通口分開，該多個下入口結合該多個上入口而產生多個氣體通路。

附圖說明

以上簡要概述的本公開內容的上述特征可以被詳細理解的方式、以及本公開內容更特定描述，可以通過參考實施方式獲得，實施方式中的一些實施方式繪示于附圖中。然而，應注意附圖僅繪示本公開內容的典型實施方式，因而不應被視對本公開內容的范圍的限制，因為本公開內容可允許其它等同有效實施方式。

圖1圖示根據一個實施方式的背側加熱處理腔室的示意性截面圖，該處理腔室具有襯墊組件。

圖2A描繪根據本文所述的多個實施方式的上襯墊的俯視圖。