[發明專利]半導體輸送部件和半導體載置部件在審
| 申請號: | 201580044886.2 | 申請日: | 2015-08-18 |
| 公開(公告)號: | CN106663651A | 公開(公告)日: | 2017-05-10 |
| 發明(設計)人: | 前野洋平 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;B82B1/00;C01B32/158;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司11322 | 代理人: | 龍淳,池兵 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 輸送 部件 | ||
技術領域
本發明涉及半導體輸送部件和半導體載置部件。
背景技術
在輸送硅晶片等半導體時,使用移動臂或移動臺等輸送基材對該半導體進行輸送(例如參照專利文獻1、2)。在進行這樣的輸送時,對載置半導體的部件(半導體載置部件)要求使得半導體在輸送中在該輸送基材上不偏移的強的抓持力。
然而,以往的具有強的抓持力的半導體載置部件存在如下問題:在輸送后將半導體從該半導體載置部件剝離時,污染物容易附著殘留于半導體側。
另一方面,若將污染物難以附著殘留于半導體側的陶瓷等材料用作半導體載置部件,則存在抓持力變弱,在輸送中在該半導體載置部件上半導體偏移的問題。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2001-351961號公報
專利文獻2:日本特開2013-138152號公報
發明內容
發明要解決的技術問題
本發明要解決的技術問題在于提供一種具有能夠表現出強的抓持力并且污染物難以附著殘留于半導體側的半導體載置部件的半導體輸送部件。另外,本發明要解決的技術問題在于提供一種能夠表現出強的抓持力并且污染物難以附著殘留于半導體側的半導體載置部件。
用于解決技術問題的手段
本發明的半導體輸送部件具有輸送基材和半導體載置部件,其特征在于:
該半導體載置部件包含纖維狀柱狀結構體,
該纖維狀柱狀結構體為具備多個纖維狀柱狀物的纖維狀柱狀結構體,
該纖維狀柱狀物沿相對于該輸送基材大致垂直的方向取向,
該纖維狀柱狀結構體的與該輸送基材相反的一側的表面相對于玻璃表面的靜摩擦系數為4.0以上。
在優選實施方式中,上述纖維狀柱狀物的至少包含前端的部分由無機材料包覆。
在優選實施方式中,上述被包覆的部分所具有的包覆層的厚度為1nm以上。
在優選實施方式中,在上述輸送基材與上述半導體載置部件之間具有粘合劑。
在優選實施方式中,上述纖維狀柱狀結構體為具備多個碳納米管的碳納米管集合體。
在優選實施方式中,上述碳納米管具有多層,該碳納米管的層數分布的分布幅度為10層以上,該層數分布的最頻值的相對頻度為25%以下。
在優選實施方式中,上述碳納米管的長度為300μm以上。
在優選實施方式中,上述碳納米管具有多層,該碳納米管的層數分布的最頻值存在于層數10層以下,該最頻值的相對頻度為30%以上。
在優選實施方式中,上述碳納米管的長度為500μm以上。
本發明的半導體載置部件用于載置半導體,其特征在于:
包含具備多個纖維狀柱狀物的纖維狀柱狀結構體,
該纖維狀柱狀結構體的表面相對于玻璃表面的靜摩擦系數為4.0以上。
在優選實施方式中,上述纖維狀柱狀物的至少包含前端的部分由無機材料包覆。
在優選實施方式中,上述被包覆的部分所具有的包覆層的厚度為1nm以上。
在優選實施方式中,上述纖維狀柱狀結構體為具備多個碳納米管的碳納米管集合體。
在優選實施方式中,上述碳納米管具有多層,該碳納米管的層數分布的分布幅度為10層以上,該層數分布的最頻值的相對頻度為25%以下。
在優選實施方式中,上述碳納米管的長度為300μm以上。
在優選實施方式中,上述碳納米管具有多層,該碳納米管的層數分布的最頻值存在于層數10層以下,該最頻值的相對頻度為30%以上。
在優選實施方式中,上述碳納米管的長度為500μm以上。
發明效果
根據本發明,能夠提供一種具有能夠表現出強的抓持力并且污染物難以附著殘留于半導體側的半導體載置部件的半導體輸送部件。另外,能夠提供一種能夠表現出強的抓持力并且污染物難以附著殘留于半導體側的半導體載置部件。
附圖說明
圖1為本發明的優選實施方式中的半導體輸送部件的一個例子的概略剖視圖。
圖2為本發明的優選實施方式中的半導體載置部件的一個例子的概略剖視圖。
圖3為本發明的優選實施方式中的碳納米管集合體的制造裝置的概略剖視圖。
具體實施方式
本發明的半導體輸送部件具有輸送基材和半導體載置部件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





