[發明專利]半導體輸送部件和半導體載置部件

在審

• 申請號: 201580044886.2
• 申請日: 2015-08-18
• 公開（公告）號: CN106663651A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 前野洋平
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;B82B1/00;C01B32/158;H01L21/677
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 龍淳,池兵

1.一種半導體輸送部件，其具有輸送基材和半導體載置部件，其特征在于：

該半導體載置部件包含纖維狀柱狀結構體，

該纖維狀柱狀結構體為具備多個纖維狀柱狀物的纖維狀柱狀結構體，

該纖維狀柱狀物沿相對于該輸送基材大致垂直的方向取向，

該纖維狀柱狀結構體的與該輸送基材相反的一側的表面相對于玻璃表面的靜摩擦系數為4.0以上。

2.如權利要求1所述的半導體輸送部件，其特征在于：

所述纖維狀柱狀物的至少包含前端的部分由無機材料包覆。

3.如權利要求2所述的半導體輸送部件，其特征在于：

所述被包覆的部分所具有的包覆層的厚度為1nm以上。

4.如權利要求1至3中任一項所述的半導體輸送部件，其特征在于：

在所述輸送基材與所述半導體載置部件之間具有粘合劑。

5.如權利要求1至4中任一項所述的半導體輸送部件，其特征在于：

所述纖維狀柱狀結構體為具備多個碳納米管的碳納米管集合體。

6.如權利要求5所述的半導體輸送部件，其特征在于：

所述碳納米管具有多層，該碳納米管的層數分布的分布幅度為10層以上，該層數分布的最頻值的相對頻度為25％以下。

7.如權利要求6所述的半導體輸送部件，其特征在于：

所述碳納米管的長度為300μm以上。

8.如權利要求5所述的半導體輸送部件，其特征在于：

所述碳納米管具有多層，該碳納米管的層數分布的最頻值存在于層數10層以下，該最頻值的相對頻度為30％以上。

9.如權利要求8所述的半導體輸送部件，其特征在于：

所述碳納米管的長度為500μm以上。

10.一種半導體載置部件，其用于載置半導體，其特征在于：

包含具備多個纖維狀柱狀物的纖維狀柱狀結構體，

該纖維狀柱狀結構體的表面相對于玻璃表面的靜摩擦系數為4.0以上。

11.如權利要求10所述的半導體載置部件，其特征在于：

所述纖維狀柱狀物的至少包含前端的部分由無機材料包覆。

12.如權利要求11所述的半導體載置部件，其特征在于：

所述被包覆的部分所具有的包覆層的厚度為1nm以上。

13.如權利要求10至12中任一項所述的半導體載置部件，其特征在于：

所述纖維狀柱狀結構體為具備多個碳納米管的碳納米管集合體。

14.如權利要求13所述的半導體載置部件，其特征在于：

所述碳納米管具有多層，該碳納米管的層數分布的分布幅度為10層以上，該層數分布的最頻值的相對頻度為25％以下。

15.如權利要求14所述的半導體載置部件，其特征在于：

所述碳納米管的長度為300μm以上。

16.如權利要求13所述的半導體載置部件，其特征在于：

所述碳納米管具有多層，該碳納米管的層數分布的最頻值存在于層數10層以下，該最頻值的相對頻度為30％以上。

17.如權利要求16所述的半導體載置部件，其特征在于：

所述碳納米管的長度為500μm以上。