[發明專利]將用于電子裝置的層堆疊圖案化

有效

• 申請號: 201580044506.5
• 申請日: 2015-08-18
• 公開（公告）號: CN107078027B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: S·諾弗爾
• 申請（專利權）人: 弗萊克因艾伯勒有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/308
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 歐陽帆

提供有一種將限定了一個或多個電子裝置元件的層的堆疊圖案化的方法，包括：通過激光燒蝕在層的堆疊的最上面的部分中創建第一厚度剖面；以及刻蝕層的堆疊以將第一厚度剖面轉化為下部水平處的第二厚度剖面；其中刻蝕減小了堆疊的所述最上面的部分的厚度和在堆疊的所述層上面的部分之下的一個或多個下部層的厚度。

背景技術

電子裝置的生產可包括將層的堆疊中的一個或多個層圖案化。

一種常規的圖案化處理涉及將待圖案化的一個或多個層的全部暴露于具有能夠燒蝕被照射區域中的層的頻率和能量的激光照射。在電子裝置的生產中激光燒蝕可以是簡單、有效的圖案化技術，但是激光燒蝕會具有一些限制，諸如對于對照射敏感元件的損傷的擔心，以及要求將在激光頻率處呈現足夠高的吸收率的材料用于待圖案化的一個或多個層。

發明內容

本申請的發明人已經意識到了開發保持激光燒蝕的優點但是具有較少限制的新的圖案化技術的挑戰。

特此提供有將限定了一個或多個電子裝置元件的層的堆疊圖案化的方法，包括：通過激光燒蝕在層的堆疊的最上面的部分中創建第一厚度剖面(profile)；以及刻蝕層的堆疊以將第一厚度剖面轉化為下部水平(level)處的第二厚度剖面；其中刻蝕減小了堆疊的所述最上面的部分的厚度和堆疊的所述最上面的部分之下的一個或多個下部層的厚度。

根據一個實施例，所述第一厚度剖面包括其中堆疊的所述最上面的部分具有第一非零厚度的一個或多個第一區域，以及其中堆疊的所述最上面的部分具有小于所述第一非零厚度的第二非零厚度的一個或多個第二區域，以及其中所述刻蝕減小在所述第二區域中的所述一個或多個下部層的厚度而不減小在所述一個或多個第一區域中的下方的所述一個或多個下部層的厚度。

根據一個實施例，堆疊的所述最上面的部分由堆疊的一個或多個上部層組成。

根據一個實施例，減小所述一個或多個下部層的厚度包括將所述一個或多個下部層的厚度減小至零。

根據一個實施例，所述第一厚度剖面包括其中堆疊的所述最上面的部分具有第一厚度的一個或多個第一區域，以及其中堆疊的所述最上面的部分具有小于所述第一厚度的第二厚度的一個或多個第二區域；以及刻蝕將所述一個或多個第一區域中的堆疊的厚度減小了第一數量，并且將所述一個或多個第二區域中的堆疊的厚度減小了第二數量，其中所述第一數量基本上不少于所述第二數量的10％。

根據一個實施例，層的堆疊包括提供了晶體管陣列的半導體溝道的半導體材料的層；以及所述方法包括在半導體溝道材料的層之上的水平處停止激光燒蝕，并且其中刻蝕層的堆疊包括刻蝕半導體溝道材料的層。

根據一個實施例，第二厚度剖面限定了向下延伸通過層的堆疊中的一個或多個非導體層到層的堆疊的導體層的孔。

特此提供有將限定了一個或多個電子裝置元件的層的堆疊圖案化的方法，包括：通過激光燒蝕在所述層的堆疊的犧牲性的最上面的部分中創建第一厚度剖面；刻蝕層的堆疊以將第一厚度剖面轉化為下部水平處的第二厚度剖面，所述第二厚度剖面部分地由所述犧牲性的最上面的部分的剩余部分所限定；去除所述犧牲性的最上面的部分的所述剩余部分以暴露一個或多個在下面的層的未刻蝕區域；以及在所述一個或多個在下面的層的所述未刻蝕區域上方形成一個或多個另外的層。

附圖說明

以下僅通過示例的方式參照附圖詳細描述本發明的實施例，其中：

圖1a-1d是例示根據所要求保護的本發明的第一實施例的技術的示意性截面圖；

圖2a-2d是例示根據所要求保護的本發明的第二實施例的技術的示意性截面圖；以及

圖3a-3e是例示另一技術的示意性截面圖。

具體實施方式