[發明專利]將用于電子裝置的層堆疊圖案化

有效

• 申請號: 201580044506.5
• 申請日: 2015-08-18
• 公開（公告）號: CN107078027B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: S·諾弗爾
• 申請（專利權）人: 弗萊克因艾伯勒有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/308
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 歐陽帆

1.一種將限定了一個或多個電子裝置元件的層的堆疊圖案化的方法，包括：

通過激光燒蝕在層的堆疊的最上面的部分中創建第一厚度剖面；以及

刻蝕層的堆疊以將第一厚度剖面轉化為下部水平處的第二厚度剖面；

其中刻蝕減小了堆疊的所述最上面的部分的厚度和堆疊的在所述最上面的部分之下的一個或多個下部層的厚度；其中所述激光燒蝕去除所選擇的區域中的堆疊的上部分；其中所述刻蝕包括刻蝕所述所選擇的區域中及所述所選擇的區域之外的堆疊，以在所述所選擇的區域中及所述所選擇的區域之外留下刻蝕表面；并且其中所述方法還包括在所述所選擇的區域中及所述所選擇的區域之外的刻蝕表面上淀積材料，其中所述層的堆疊包括直接位于半導體層上方的電介質層；并且其中所述第一厚度剖面部分地向下延伸通過直接位于所述半導體層上方的所述電介質層；并且所述刻蝕包括刻蝕所述半導體層。

2.一種將限定了一個或多個電子裝置元件的層的堆疊圖案化的方法，包括：

通過激光燒蝕在層的堆疊的最上面的部分中創建第一厚度剖面；以及

刻蝕層的堆疊以將第一厚度剖面轉化為下部水平處的第二厚度剖面；

其中刻蝕減小了堆疊的所述最上面的部分的厚度和堆疊的在所述最上面的部分之下的一個或多個下部層的厚度；其中層的堆疊包括在半導體層上的一個或多個柵極電介質層以及在所述一個或多個柵極電介質層上的一個或多個絕緣層；并且其中創建所述第一厚度剖面包括燒蝕通過所述一個或多個絕緣層向下到所述一個或多個柵極電介質層中，以及在距半導體層不遠處停止所述激光燒蝕。

3.根據權利要求1或權利要求2所述的方法，其中，所述第一厚度剖面包括其中堆疊的所述最上面的部分具有第一非零厚度的一個或多個第一區域，以及其中堆疊的所述最上面的部分具有小于所述第一非零厚度的第二非零厚度的一個或多個第二區域，以及其中所述刻蝕減小在所述第二區域中的所述一個或多個下部層的厚度而不減小在所述一個或多個第一區域中的下方的所述一個或多個下部層的厚度。

4.根據權利要求1或權利要求2所述的方法，其中，堆疊的所述最上面的部分由堆疊的一個或多個上部層組成。

5.根據權利要求1或權利要求2所述的方法，其中，減小所述一個或多個下部層的厚度包括將所述一個或多個下部層的厚度減小至零。

6.根據權利要求1或權利要求2所述的方法，其中，所述第一厚度剖面包括其中堆疊的所述最上面的部分具有第一厚度的一個或多個第一區域，以及其中堆疊的所述最上面的部分具有小于所述第一厚度的第二厚度的一個或多個第二區域；并且刻蝕將所述一個或多個第一區域中的堆疊的厚度減小了第一數量，并且將所述一個或多個第二區域中的堆疊的厚度減小了第二數量，其中所述第一數量基本上不少于所述第二數量的10％。

7.根據權利要求2所述的方法，其中，半導體層提供了晶體管陣列的半導體溝道；并且其中刻蝕層的堆疊包括刻蝕半導體層。

8.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第二厚度剖面限定了向下延伸通過一個或多個絕緣層、一個或多個柵極電介質層以及半導體層到層的堆疊的導體層的孔。

9.根據權利要求2所述的方法，包括所述一個或多個柵極電介質層上的所述一個或多個絕緣層上的犧牲性的層；其中所述第二厚度剖面部分地由所述犧牲性的層的剩余部分所限定；以及所述方法還包括去除所述犧牲性的層的所述剩余部分以暴露一個或多個在下面的層的未刻蝕區域；以及在所述一個或多個在下面的層的所述未刻蝕區域上方形成一個或多個另外的層。