[發明專利]激光退火裝置及激光退火方法有效
| 申請號: | 201580044475.3 | 申請日: | 2015-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN106663611B | 公開(公告)日: | 2019-05-28 |
| 發明(設計)人: | 城戶淳二 | 申請(專利權)人: | 城戶淳二 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;H01L21/20 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 呂琳;樸秀玉 |
| 地址: | 日本山形*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 退火 裝置 方法 | ||
一種激光退火裝置及激光退火方法,其在短時間內有效地進行是否適當地進行了激光退火處理的確認工序。激光退火裝置(1)具備:激光源(2);激光照射光學系統(3),將從激光源(2)射出的激光照射至處理對象基板(W)的處理區域(Sn);照明光源(4),射出可見光區的照明光;照明光學系統(5),將從照明光源(4)射出的光照射至處理區域(Sn);及光譜檢測部(6),檢測出在用激光進行了退火處理的處理區域(Sn)反射的可見光區的光,并輸出其光譜特征。
技術領域
本發明涉及一種對基板上的特定區域照射激光而進行退火處理的激光退火裝置、及使用了該激光退火裝置的激光退火方法。
背景技術
激光退火是通過激光照射所產生的熱作用來引起半導體、金屬晶格的轉移的處理技術,具有能僅對必要的部分進行局部處理,并且能夠通過以較高的能量密度進行的退火來縮短處理時間等優點。這種激光退火適用于各種用途,在走向高速化、大型化的液晶顯示器的制造過程中成為必不可少的處理技術。當前主流的薄膜晶體管(TFT)式液晶顯示器的高清面板中,低溫多晶硅(LTPS)TFT被廣泛使用,而激光退火被用于對TFT形成區域的非晶硅膜局部照射激光而進行多晶硅化的處理(例如,參考下述專利文獻1)。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2010-283073號公報
發明內容
發明所要解決的問題
帶有激光退火處理的制造過程中,在穩定供應合格產品方面需要在處理之后確認是否正規地進行了該處理。尤其,在液晶顯示器或有機EL顯示器的TFT基板的制造過程中,要求在所有的存在于基板上的多個TFT形成區域均勻地生成結晶性高的多晶硅,液晶顯示器或有機EL顯示器的工作性能受該均勻性的影響較大,因此在進行制出的液晶顯示器或有機EL顯示器的品質管理方面,在各TFT形成區域確認是否適當地進行了激光退火處理的工序成為重要的工序。
以往,這種激光退火處理后的確認工序是通過測定薄膜晶體管的電氣特征來進行的,但是為了使薄膜晶體管工作,還需要在激光退火處理之后進行多個工序。因此,在經過多個工序之后才檢測出激光退火處理的不合格產品,存在導致浪費時間、材料等的損耗的問題。
本發明將解決這種問題作為課題的一例。即,本發明的目的是為了無需等到最終工序就能當場進行是否適當地進行了激光退火處理的確認工序、和由此有效地進行TFT基板的制造等。
用于解決問題的方案
為了實現這種目的,本發明的激光退火裝置及激光退火方法具備以下方案。
一種激光退火裝置,其特征在于,具備:激光源;激光照射光學系統,將從所述激光源射出的激光照射至處理對象基板的處理區域;照明光源,射出可見光區的照明光;照明光學系統,將從所述照明光源射出的光照射至所述處理區域;及光譜檢測部,檢測出在由所述激光進行了退火處理的所述處理區域反射的可見光區的光,并輸出其光譜特征。
一種激光退火方法,其特征在于,具有:處理工序,對處理對象基板的處理區域照射激光而實施退火處理;及確認工序,對所述處理區域照射可見光區的照明光,在所述退火處理之后立刻檢測出在所述處理區域反射的可見光區的光并輸出其光譜特征,并通過其光譜特征來確認是否適當地進行了所述處理區域的退火處理。
發明效果
根據具有這種特征的激光退火裝置及激光退火方法,能在對處理區域進行退火處理之后立刻通過在處理區域反射的可見光區的光的光譜特征來確認是否適當地進行了退火處理。由此,能夠一邊繼續對整個處理對象基板進行激光退火處理,一邊同時確認是否適當地進行了激光退火處理,能夠在短時間內有效地進行該確認工序。并且,通過用這種激光退火裝置及激光退火方法來制造TFT基板,能夠謀求TFT基板的生產率的提高。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





