[發明專利]激光退火裝置及激光退火方法

有效

• 申請號: 201580044475.3
• 申請日: 2015-08-19
• 公開（公告）號: CN106663611B
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 城戶淳二
• 申請（專利權）人: 城戶淳二
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L21/20
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

1.一種激光退火裝置，其特征在于，具備：

激光源；

激光照射光學系統，將從所述激光源射出的激光照射至處理對象基板的處理區域；

照明光源，射出可見光區的照明光；

照明光學系統，將從所述照明光源射出的光照射至所述處理區域；

光譜檢測部，檢測出在由所述激光進行了退火處理的所述處理區域反射的可見光區的光，并輸出其光譜特征；及

檢測光學系統，將在所述處理區域反射的可見光區的光引導至所述光譜檢測部，

所述激光照射光學系統具備微透鏡陣列和掩膜，所述微透鏡陣列將所述激光同時且獨立地聚光至多個所述處理區域，所述掩膜具有將光獨立地入射至所述微透鏡陣列的各微透鏡的開口，

所述檢測光學系統經由所述微透鏡陣列和所述掩膜將在所述處理區域反射的可見光區的光引導至所述光譜檢測部。

2.根據權利要求1所述的激光退火裝置，其特征在于，

所述光譜檢測部從經由所述微透鏡陣列而被照射所述激光的所有的所述處理區域反射的可見光區的光中，選擇性地檢測出在特定的處理區域反射的光。

3.根據權利要求2所述的激光退火裝置，其特征在于，

在所述光譜檢測部的前方設置有：成像光學系統，使所述處理區域的像成像至所述光譜檢測部的前方位置；以及選擇光透射部，在所述前方位置僅使在所述特定的處理區域反射的光透射。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的激光退火裝置，其特征在于，

具備對所述處理對象基板上的所述處理區域的位置進行掃描的處理區域掃描部。

5.一種激光退火方法，其特征在于，具有：

處理工序，對處理對象基板的處理區域照射激光而實施退火處理；及

確認工序，對所述處理區域照射可見光區的照明光，在所述退火處理之后立刻檢測出在所述處理區域反射的可見光區的光并輸出其光譜特征，并通過其光譜特征來確認是否適當地進行了所述處理區域的退火處理，

在所述處理工序中，經由微透鏡陣列和具有將光獨立地入射至所述微透鏡陣列的各微透鏡的開口的掩膜，將所述激光同時且獨立地聚光至多個所述處理區域，

在所述確認工序中，經由所述微透鏡陣列和所述掩膜，檢測出在所述處理區域反射的可見光區的光。

6.根據權利要求5所述的激光退火方法，其特征在于，

退火處理的對象為通過真空成膜而形成的半導體膜。

7.根據權利要求6所述的激光退火方法，其特征在于，

所述半導體膜為通過氣相生長法而形成的非晶硅。

8.根據權利要求6所述的激光退火方法，其特征在于，

所述半導體膜為通過濺射法而形成的金屬氧化物半導體。

9.根據權利要求5所述的激光退火方法，其特征在于，

退火處理的對象為通過涂布而形成的半導體膜。

10.根據權利要求9所述的激光退火方法，其特征在于，

激光退火的對象為通過涂布而形成的包括硅微粒的薄膜。

11.根據權利要求9所述的激光退火方法，其特征在于，

激光退火的對象為通過涂布而形成的包括金屬氧化物的薄膜。