[發明專利]多晶硅棒的制造方法和多晶硅棒

在審

• 申請號: 201580043372.5
• 申請日: 2015-07-28
• 公開（公告）號: CN106660809A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 宮尾秀一;禰津茂義
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035;G01N23/203;G01N23/207;G01N23/225
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 魯雯雯,金龍河

1.一種多晶硅棒的制造方法，其是基于西門子法的多晶硅棒的制造方法，其特征在于，

在將反應爐內控制于0.45～0.9MPa的壓力范圍的狀態下，使多晶硅析出，

得到在所述多晶硅棒的任意部位在利用EBSD法、即電子背散射衍射測定法進行評價的情況下的結晶粒徑的平均值為6μm以下的多晶硅棒。

2.如權利要求1所述的多晶硅棒的制造方法，其中，將所述壓力范圍控制于0.6～0.9MPa。

3.如權利要求1或2所述的多晶硅棒的制造方法，其中，將進行多晶硅的析出反應時的反應溫度設定于1100℃～1150℃的范圍。

4.一種多晶硅棒，其是通過權利要求1或2所述的方法培育而成的多晶硅棒，其中，利用EBSD法、即電子背散射衍射測定法對從所述多晶硅棒的任意部位選取的板狀試樣進行評價的情況下，結晶粒徑處于0.5～30μm的范圍且平均粒徑為6μm以下。

5.一種多晶硅塊，通過粉碎權利要求4所述的多晶硅棒而得到。

6.一種多晶硅棒，其是通過權利要求1或2所述的方法培育而成的多晶硅棒，其中，將從所述多晶硅棒的任意部位選取的n片板狀試樣分別配置在對來自密勒指數面(111)的布拉格反射進行檢測的位置，求出在使該板狀試樣在測定面內旋轉的同時對X射線衍射檢測量進行測定而得到的衍射強度的平均值，將所述n片板狀試樣的測定結果的總體的總體標準偏差設為σ、并將總體均值設為μ時，以CV＝σ/μ定義的變差系數的值為25％以下。

7.一種多晶硅塊，通過粉碎權利要求6所述的多晶硅棒而得到。

8.一種多晶硅棒，其是通過權利要求1或2所述的方法培育而成的多晶硅棒，其中，將從所述多晶硅棒的任意部位選取的n片板狀試樣分別配置在對來自密勒指數面(220)的布拉格反射進行檢測的位置，求出在使該板狀試樣在測定面內旋轉的同時對X射線衍射檢測量進行測定而得到的衍射強度的平均值，將所述n片板狀試樣的測定結果的總體的總體標準偏差設為σ、且將總體均值設為μ時，以CV＝σ/μ定義的變差系數的值為30％以下。

9.一種多晶硅塊，通過粉碎權利要求8所述的多晶硅棒而得到。

10.一種多晶硅棒，其是通過權利要求1或2所述的方法培育而成的多晶硅棒，其中，將從所述多晶硅棒的任意部位選取的n片板狀試樣分別配置在對來自密勒指數面(220)的布拉格反射進行檢測的位置，對所述n片板狀試樣的各片求出在使該板狀試樣在測定面內旋轉的同時對X射線衍射檢測量進行測定而得到的衍射圖中所出現的衍射峰的面積相對于總衍射強度的面積之比，該n個面積比的平均值為5％以上。

11.一種多晶硅塊，通過粉碎權利要求10所述的多晶硅棒而得到。

12.一種多晶硅棒，其是通過權利要求1或2所述的方法培育而成的多晶硅棒，其中，從所述多晶硅棒的任意部位選取的板狀試樣的熱擴散率為73mm²/秒以下。

13.一種多晶硅塊，通過粉碎權利要求12所述的多晶硅棒而得到。