[發明專利]受光發光元件模塊及使用其的傳感器裝置有效
| 申請號: | 201580042710.3 | 申請日: | 2015-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN106663716B | 公開(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發明(設計)人: | 內田信也 | 申請(專利權)人: | 京瓷株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/12 | 分類號: | H01L31/12 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 樸英淑 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 模塊 使用 傳感器 裝置 | ||
1.一種受光發光元件模塊,具備:
基板,具有上表面;
發光元件,被配置在所述基板的所述上表面;
受光元件,與所述發光元件空出間隔地配置在所述基板的所述上表面;以及
中間壁,與所述上表面空出間隔地配置在所述發光元件與所述受光元件之間且具有下表面,并且位于對所述發光元件的發光點與所述下表面的頂點進行連結的虛擬線的上方,
所述中間壁的所述下表面為凸狀,所述下表面具有:位于所述發光元件側的第1傾斜面、位于所述受光元件側的第2傾斜面以及作為所述第1傾斜面與所述第2傾斜面相交的頂點的部位的交點,若將穿過所述發光元件的發光點與所述受光元件的受光點的線設為第1虛擬直線,將穿過所述發光點與所述交點的線設為第2虛擬直線,將所述第2傾斜面的延長線設為第3虛擬直線,則所述第1虛擬直線與所述第3虛擬直線構成的角度大于所述第1虛擬直線與所述第2虛擬直線構成的角度。
2.根據權利要求1所述的受光發光元件模塊,其中,
所述中間壁還具有在上下方向延展并與所述下表面連接、且位于所述發光元件側的第1側面,
所述第1傾斜面的算術平均粗糙度大于所述第1側面的算術平均粗糙度。
3.根據權利要求1或2所述的受光發光元件模塊,其中,
所述第1傾斜面的傾斜角度被設定為:來自所述發光元件的光在所述第1傾斜面之中的所述第1傾斜面及所述第2傾斜面的交點處進行了規則反射時,其反射光到達與所述受光元件相比更靠所述發光元件側。
4.根據權利要求1或2所述的受光發光元件模塊,其中,
該受光發光元件模塊具備形成所述發光元件及所述受光元件的容納空間的殼體,
所述殼體具有:向外部射出來自所述發光元件的光的第1開口部;和將來自外部的反射光向所述受光元件引導的第2開口部,
所述中間壁位于所述殼體的所述第1開口部與所述第2開口部之間。
5.根據權利要求4所述的受光發光元件模塊,其中,
所述第2開口部被配置為所述第2開口部的壁面與所述虛擬線交叉。
6.根據權利要求5所述的受光發光元件模塊,其中,
所述第2開口部的所述壁面在上下方向上延展,以使得將來自所述發光元件的光朝上方反射。
7.根據權利要求5所述的受光發光元件模塊,其中,
形成所述第2開口部的壁面之中的與所述第2虛擬直線的交叉部,和正交于所述基板的所述上表面的垂線大致平行。
8.根據權利要求1或2所述的受光發光元件模塊,其中,
該受光發光元件模塊還具備一個導電型的半導體基板,
所述發光元件具有被配置在所述半導體基板的上表面的多個半導體層,
所述受光元件具有被配置在所述半導體基板的上表面的表層部的反導電型的半導體區域。
9.一種傳感器裝置,其是使用了權利要求1~8中任一項所述的受光發光元件模塊的傳感器裝置,其中,
從所述發光元件向被照射物照射光,根據基于來自該被照射物的反射光而被輸出且來自所述受光元件的輸出電流,對所述被照射物的信息進行檢測。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





