[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580042254.2
• 申請日: 2015-08-04
• 公開（公告）號: CN106663723B
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發(fā)明（設計）人: 吳世熙;金鐘奎;金在權(quán);姜珉佑;金賢兒
• 申請（專利權(quán)）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;尹淑梅

公開了一種發(fā)光二極管及其制造方法。該發(fā)光二極管包括：第一導電型半導體層；在第一導電型半導體層上彼此間隔開布置的至少兩個發(fā)光單元，其分別包括有源層和第二導電型半導體層，并且包括第一導電型半導體層通過其而部分地暴露的一個或多個接觸孔；位于發(fā)光單元之間的附加接觸區(qū)域；與第二導電型半導體層歐姆接觸的第二電極；下絕緣層；以及第一電極，其通過發(fā)光單元中的每一者的接觸孔以及附加接觸區(qū)域與第一導電型半導體層進行歐姆接觸。

技術領域

本公開的示例性實施例涉及一種發(fā)光二極管以及一種制造該發(fā)光二極管的方法，更具體地，涉及一種可以使發(fā)光面積的減小最小化并且具有高的電流擴散效率的發(fā)光二極管以及一種制造該發(fā)光二極管的方法。

背景技術

發(fā)光二極管是指被配置為通過電子和空穴的重組而發(fā)射光的無機半導體裝置，并且近年來，在本領域中已經(jīng)開發(fā)并制造了使用具有直接躍遷特性的氮化物半導體的發(fā)光二極管。

根據(jù)電極的位置，電極與外部引線的連接結(jié)構(gòu)等，發(fā)光二極管可以分為橫向型發(fā)光二極管和倒裝芯片型發(fā)光二極管。近來，隨著對高功率發(fā)光二極管的需求增加，對具有良好散熱效率的大型倒裝芯片型發(fā)光二極管的需求不斷增加。

發(fā)明內(nèi)容

技術問題

本公開的示例性實施例提供了具有提高的電流擴散效率的發(fā)光二極管。

本公開的示例性實施例提供了一種制造發(fā)光二極管的方法，其可以使有源層的去除最小化，同時提高了電流擴散效率，并且能夠提供簡單的工藝。

技術方案

根據(jù)本公開的一個方面，一種發(fā)光二極管包括：第一導電型半導體層；至少兩個發(fā)光單元，該至少兩個發(fā)光單元在第一導電型半導體層上設置為彼此間隔開，并且發(fā)光單元中的每一者均包括有源層、第二導電型半導體層和至少一個接觸孔，該至少一個接觸孔穿過第二導電型半導體層和有源層形成從而暴露第一導電型半導體層的一部分；附加接觸區(qū)域，該附加接觸區(qū)域設置在發(fā)光單元之間并部分地暴露第一導電型半導體層；第一電極，該第一電極通過發(fā)光單元中的每一者的接觸孔和附加接觸區(qū)域與第一導電型半導體層形成歐姆接觸；第二電極，該第二電極設置在發(fā)光單元中的每一者上并與第二導電型半導體層形成歐姆接觸；和下絕緣層，該下絕緣層覆蓋第一導電型半導體層的側(cè)表面、發(fā)光單元和第二電極，其中下絕緣層包括暴露接觸孔和附加接觸區(qū)域的第一開口以及部分地暴露第二電極的第二開口，并且第一電極和第二電極彼此絕緣。

第一電極也可以通過附加接觸區(qū)域與第一導電型半導體層形成歐姆接觸，從而提高發(fā)光二極管的電流擴散效率。

附加接觸區(qū)域可以設置在至少四個發(fā)光單元之間的區(qū)域中，具體地，設置在至少四個發(fā)光單元中的每一者的一個拐角與其他三個發(fā)光單元的拐角匯合的區(qū)域中。

從附加接觸區(qū)域的中心到至少四個發(fā)光單元的中心的距離可以是相同的。

接觸孔可以設置在發(fā)光單元中的每一者的中心區(qū)域中。

發(fā)光二極管可進一步包括一個或多個連接層，該連接層將設置在發(fā)光單元之一上的第二電極電連接到設置在與一個發(fā)光單元相鄰的另一個發(fā)光單元上的第二電極。

第一電極可以覆蓋下絕緣層的至少一部分，并且可以通過第一開口接觸第一導電型半導體層。

第一電極可進一步覆蓋第一導電型半導體層和發(fā)光單元的側(cè)表面，并且可以通過下絕緣層絕緣。

在其他示例性實施例中，發(fā)光二極管可進一步包括至少部分地覆蓋第一電極的上絕緣層，其中上絕緣層可以包括部分地暴露第一電極的第三開口和部分地暴露第二電極的第四開口。

發(fā)光二極管可進一步包括設置在第三開口上并電連接到第一電極的第一焊盤；和設置在第四開口上并電連接到第二電極的第二焊盤。

發(fā)光二極管可進一步包括設置在上絕緣層上的散熱焊盤。