[發明專利]發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201580042254.2
• 申請日: 2015-08-04
• 公開（公告）號: CN106663723B
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發明（設計）人: 吳世熙;金鐘奎;金在權;姜珉佑;金賢兒
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;尹淑梅

1.一種發光二極管，其包括：

第一導電型半導體層；

至少兩個發光單元，其在所述第一導電型半導體層上彼此間隔開設置并且各自包括有源層、第二導電型半導體層和至少一個接觸孔，所述至少一個接觸孔穿過所述第二導電型半導體層和所述有源層形成，從而暴露所述第一導電型半導體層的一部分；

附加接觸區域，其設置在所述至少兩個發光單元之間并設置在所述至少兩個發光單元的外部，并且部分地暴露所述第一導電型半導體層；

第一電極，其通過所述至少兩個發光單元中的每一者的接觸孔和所述附加接觸區域與所述第一導電型半導體層形成歐姆接觸；

第二電極，其設置在所述至少兩個發光單元中的每一者上并且與所述第二導電型半導體層形成歐姆接觸；以及

下絕緣層，其覆蓋所述第一導電型半導體層的側表面、所述至少兩個發光單元和所述第二電極，

其中，所述下絕緣層包括暴露所述接觸孔和所述附加接觸區域的第一開口和部分地暴露所述第二電極的第二開口，所述第一電極和所述第二電極彼此絕緣。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，所述發光二極管包括至少四個發光單元，且所述附加接觸區域設置在由所述至少四個發光單元環繞的區域中。

3.根據權利要求2所述的發光二極管，其中，所述附加接觸區域設置在其中所述至少四個發光單元中的每一者的一個拐角與其他三個發光單元的拐角匯合的區域中。

4.根據權利要求2所述的發光二極管，其中，從所述附加接觸區域的中心至所述至少四個發光單元的中心的距離是相同的。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的發光二極管，其中，所述接觸孔設置在所述發光單元中的每一者的中心區域中。

6.根據權利要求1所述的發光二極管，其進一步包括：

一個或多個連接層，其將設置在所述至少兩個發光單元中的一個發光單元上的所述第二電極電連接到設置在鄰近于所述一個發光單元的另一個發光單元上的所述第二電極。

7.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，所述第一電極覆蓋所述下絕緣層的至少一部分，并且通過所述第一開口接觸所述第一導電型半導體層。

8.根據權利要求7所述的發光二極管，其中，所述第一電極進一步覆蓋所述第一導電型半導體層以及所述至少兩個發光單元的側表面，并且通過所述下絕緣層絕緣。

9.根據權利要求1所述的發光二極管，其進一步包括：

上絕緣層，其至少部分地覆蓋所述第一電極，

其中所述上絕緣層包括部分地暴露所述第一電極的第三開口和部分地暴露所述第二電極的第四開口。

10.根據權利要求9所述的發光二極管，其進一步包括：

第一焊盤，其設置在所述第三開口上并且電連接到所述第一電極；和

第二焊盤，其設置在所述第四開口上并且電連接到所述第二電極。

11.根據權利要求10所述的發光二極管，其進一步包括：

散熱焊盤，其設置在所述上絕緣層上。

12.根據權利要求11所述的發光二極管，其中所述散熱焊盤設置在所述第一焊盤和所述第二焊盤之間。