[發明專利]具有凹凸圖案的構件的制造方法

在審

• 申請號: 201580042029.9
• 申請日: 2015-08-03
• 公開（公告）號: CN106660260A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 高橋麻登香;鳥山重隆;關隆史;佐藤祐輔
• 申請（專利權）人: 捷客斯能源株式會社
• 主分類號: B29C59/02
• 分類號: B29C59/02;B29C65/52;H01L21/027;H01L51/50;H05B33/02
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 邵濤

1.一種具有凹凸圖案的構件的制造方法，其具有如下步驟：于表面具有凹凸圖案的模具的上述凹凸圖案上形成第1膜的步驟；

于基材上形成第2膜的步驟；

通過使上述模具與上述基材重疊，將上述第1膜與上述第2膜接合的步驟；及

自與上述第2膜接合的上述第1膜將上述模具剝離的步驟。

2.如權利要求1的具有凹凸圖案的構件的制造方法，其具有如下步驟：于實施上述接合步驟前，于上述模具上的上述第1膜或上述基材上的上述第2膜上涂布接著劑。

3.如權利要求1或2的具有凹凸圖案的構件的制造方法，其進而具有于上述接合步驟之前，于上述模具上的上述第1膜及/或上述基材上的上述第2膜上形成其他膜的步驟。

4.一種具有凹凸圖案的構件的制造方法，其具有如下步驟：

于表面具有凹凸圖案的模具的上述凹凸圖案上，通過干式工藝而形成第1膜的步驟；

于上述模具的上述第1膜側接合基材的步驟；及

將上述模具自上述第1膜剝離的步驟。

5.如權利要求4的具有凹凸圖案的構件的制造方法，其具有如下步驟：于實施上述接合步驟前，在接合于上述模具的上述第1膜側的上述基材的面上或上述模具的第1膜側涂布接著劑。

6.如權利要求4或5的具有凹凸圖案的構件的制造方法，其進而具有如下步驟：于上述模具的上述凹凸圖案上所形成的上述第1膜上，通過干式工藝及/或濕式工藝而形成其他膜。

7.如權利要求4至6中任一項的具有凹凸圖案的構件的制造方法，其中，于上述第1膜形成步驟中，通過利用上述干式工藝將氧化硅、氮氧化硅、或氮化硅成膜，而形成上述第1膜。

8.如權利要求4至7中任一項的具有凹凸圖案的構件的制造方法，其具有下述步驟：于實施上述接合步驟前，于上述基材上形成第2膜。

9.如權利要求1至3、8中任一項的具有凹凸圖案的構件的制造方法，其中，上述第1膜及/或上述第2膜的水蒸氣穿透率為10^－2g·m^－2·day^－1以下。

10.如權利要求3的具有凹凸圖案的構件的制造方法，其中，由上述第1膜及上述第1膜上的上述其他膜所構成的第1氣體阻隔層、及/或由上述第2膜所構成的第2氣體阻隔層的水蒸氣穿透率為10^－2g·m^－2·day^－1以下。

11.如權利要求1至10中任一項的具有凹凸圖案的構件的制造方法，其中，上述模具的上述凹凸圖案的凸部及凹部

i)俯視時分別具有彎曲且延伸的細長形狀，且

ii)延伸方向、撓曲方向及長度不均一。

12.如權利要求1至11中任一項的具有凹凸圖案的構件的制造方法，其中，上述模具的上述凹凸圖案為不規則的凹凸圖案，凹凸的平均間距為100～1500nm的范圍，凹凸的深度分布的平均值為20～200nm的范圍。

13.如權利要求1至12中任一項的具有凹凸圖案的構件的制造方法，其中，上述模具的凹凸分析圖像的傅立葉變換像顯示出以波數的絕對值為0μm^－1的原點作為大致中心的圓狀或圓環狀的紋樣，且上述圓狀或圓環狀的紋樣存在于波數的絕對值成為10μm^－1以下的區域。

14.一種具有凹凸圖案的構件，其通過權利要求1至13中任一項的具有凹凸圖案的構件的制造方法而制造。

15.如權利要求14的具有凹凸圖案的構件，其具有氣體阻隔層，

上述第1膜被含于上述氣體阻隔層。

16.如權利要求15的具有凹凸圖案的構件，其中，上述氣體阻隔層的水蒸氣穿透率為10^－2g·m^－2·day^－1以下。

17.一種有機EL元件，其是于通過權利要求1至13中任一項的具有凹凸圖案的構件的制造方法而制造的具有凹凸圖案的構件上，依序積層第1電極、有機層及金屬電極而形成。