[發明專利]具有自對準背側特征的半導體器件

有效

• 申請號: 201580041881.4
• 申請日: 2015-07-28
• 公開（公告）號: CN106663684B
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發明（設計）人: S·A·法內利
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 31100 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 袁逸<國際申請>=PCT/US2015/

1.一種用于提供半導體器件的方法，包括：

在絕緣體上半導體晶片上形成柵極，其中所述絕緣體上半導體晶片包括器件區、埋藏絕緣體和基板；

使用所述柵極作為掩模向所述絕緣體上半導體晶片應用處理，其中所述處理在所述埋藏絕緣體中創建經處理的絕緣體區；

移除所述基板的至少一部分；以及

在移除所述基板的該部分之后，從所述埋藏絕緣體選擇性地移除所述經處理的絕緣體區以形成與所述柵極對準的剩余的絕緣體區并且暴露所述器件區的有源層的背側。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：

在向所述絕緣體上半導體晶片應用所述處理之后，將處理晶片接合到所述絕緣體上半導體晶片；

其中移除所述基板的至少一部分包括移除整個基板；以及

其中當所述基板被移除時以及在所述基板被移除之后，所述處理晶片向所述絕緣體上半導體晶片的所述器件區提供穩定力。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：

在移除所述經處理的絕緣體區之后，在所述剩余的絕緣體區上形成熱傳導層。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

所述處理包括將摻雜劑離子注入到所述埋藏絕緣體中；以及

使用氣相蝕刻劑來移除所述經處理的絕緣體。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于：

所述摻雜劑離子具有比碳小的原子重量；以及

所述蝕刻劑是氫氟酸。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：

在移除所述經處理的絕緣體區之后，移除所述器件區的一部分；

其中所述絕緣體上半導體晶片包括第二埋藏絕緣體和第二器件區；

其中所述柵極包括用于形成在所述第二器件區中的溝道的柵電極；以及

其中所述器件區包括用于形成在所述第二器件區中的溝道的附加柵電極。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于：

所述第二埋藏絕緣體比所述埋藏絕緣體薄。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：

在移除所述經處理的絕緣體區之后，在所述剩余的絕緣體區上形成應變層。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于：

移除所述經處理的絕緣體區暴露了所述器件區；并且

形成所述應變層包括在所述剩余的絕緣體區和所述器件區上毯覆沉積應變材料。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于：

所述剩余的絕緣體和所述柵極二者都與形成在所述器件區中的溝道接觸；以及

所述應變層增強所述溝道中的載流子的遷移率。

11.一種用于提供半導體器件的方法，包括：

在絕緣體上半導體晶片的頂側上并且在有源層上方形成柵極；

在形成所述柵極之后，向所述絕緣體上半導體晶片的所述頂側應用處理以在所述絕緣體上半導體晶片的絕緣體層中形成經處理的區域；

從所述絕緣體上半導體晶片的背側移除基板以暴露所述絕緣體層；以及

在移除所述基板之后，從所述絕緣體層選擇性地移除所述經處理的區域以暴露所述有源層的背側并形成與所述柵極對準的剩余的絕緣體區；

其中所述柵極被用來圖案化所述經處理的區域，從而用自對準的方式形成所述經處理的區域。

12.如權利要求11所述的方法，其特征在于：

所述處理包括將離子注入到所述絕緣體層中；以及

使用氣相蝕刻劑移除所述經處理的區域。