[發明專利]諧振器以及諧振裝置

有效

• 申請號: 201580041358.1
• 申請日: 2015-10-20
• 公開（公告）號: CN106664075B
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發明（設計）人: 中村大佐;中谷宏
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H9/24
• 分類號: H03H9/24;B06B1/06;H01L41/09
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

1.一種諧振器，具備：

振動部，其具有半導體層、形成在所述半導體層上的第一壓電膜、形成于所述第一壓電膜的上部的第一上部電極；

保持體，其將所述振動部保持為能夠振動；

連結部，其連結所述振動部和所述保持體；以及

振動抑制部，其具有形成在所述保持體上的第二壓電膜和形成于所述第二壓電膜的上部的一部分的第二上部電極，

所述半導體層、所述保持體以及所述連結部是包括硅的簡并半導體。

2.根據權利要求1所述的諧振器，其中，

還具備第一下部電極，所述第一下部電極形成于所述第一壓電膜與所述半導體層之間。

3.根據權利要求1或2所述的諧振器，其中，

還具備第二下部電極，所述第二下部電極形成于所述第二壓電膜與所述保持體之間。

4.根據權利要求1或2所述的諧振器，其中，

所述第一壓電膜由與所述第二壓電膜相同的材料形成，

所述第一上部電極由與所述第二上部電極相同的材料形成。

5.根據權利要求2所述的諧振器，其中，

所述諧振器還具備：

第二下部電極，其形成于所述第二壓電膜與所述保持體之間，

所述第一下部電極由與所述第二下部電極相同的材料形成。

6.根據權利要求1或2所述的諧振器，其中，

所述第二上部電極接地。

7.根據權利要求1或2所述的諧振器，其中，

所述第二壓電膜的結晶性比所述第一壓電膜的結晶性低。

8.一種諧振裝置，具備：

諧振器，其是權利要求1～7中任一項所述的諧振器；

蓋體，其覆蓋所述諧振器；以及

外部端子，其與所述諧振器電連接。