[發(fā)明專利]半導(dǎo)體集成電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580040953.3
• 申請日: 2015-12-28
• 公開（公告）號: CN106663658B
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 菅野博;澄田仁志;山路將晴
• 申請（專利權(quán)）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/76;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/08;H01L27/092
• 代理公司: 11277 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 劉新宇

1.一種半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，具備：

第一導(dǎo)電型的支承基板，其下表面被施加基準電位；

絕緣層，其設(shè)置于所述支承基板上；

第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層，其隔著所述絕緣層設(shè)置于所述支承基板上；

第二導(dǎo)電型的第一阱區(qū)，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的上部，且與所述絕緣層相離；

第一導(dǎo)電型的第二阱區(qū)，其設(shè)置于所述第一阱區(qū)的上部；以及

第一導(dǎo)電型的分離區(qū)，其以包圍所述第一阱區(qū)的方式設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的上部，且與所述第一阱區(qū)及所述絕緣層相離，

所述半導(dǎo)體層具有使所述第一阱區(qū)及所述分離區(qū)與所述絕緣層相離的厚度，

所述第一阱區(qū)與所述絕緣層之間的距離為80μm以上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

所述半導(dǎo)體層具有使耗盡層與所述絕緣層相離的厚度，所述耗盡層是在對所述第一阱區(qū)施加了第一電位、并對所述第二阱區(qū)施加了與所述第一電位不同的第二電位時從所述半導(dǎo)體層與所述第一阱區(qū)之間的pn結(jié)界面擴展的耗盡層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

所述第一阱區(qū)被施加第一電位，所述第二阱區(qū)被施加與所述第一電位不同的第二電位，所述分離區(qū)被施加基準電位。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

所述第一電位和所述第二電位是使所述第一阱區(qū)與所述第二阱區(qū)之間的pn結(jié)在通常動作下反向偏置的電位。

5.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，還具備：

第一有源元件，該第一有源元件的第一導(dǎo)電型的第一主電極區(qū)和第二主電極區(qū)設(shè)置于所述第一阱區(qū)的上部；以及

第二有源元件，該第二有源元件的第二導(dǎo)電型的第一主電極區(qū)和第二主電極區(qū)設(shè)置于所述第二阱區(qū)的上部。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

還具備由所述第一有源元件與所述第二有源元件串聯(lián)連接而成的柵極驅(qū)動電路，

作為所述柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動對象的開關(guān)元件的柵極連接于所述第一有源元件與所述第二有源元件之間的連接點。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

還具備由所述第一有源元件與所述第二有源元件串聯(lián)連接而成的柵極驅(qū)動電路，

在將由高壓側(cè)的開關(guān)元件與低壓側(cè)的開關(guān)元件串聯(lián)連接而成的高端電路作為所述柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動對象時，所述高壓側(cè)的開關(guān)元件的柵極連接于所述第一有源元件與所述第二有源元件之間的連接點。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

所述第一有源元件和所述第二有源元件各自的第二主電極區(qū)相連接，所述第一有源元件的第一主電極區(qū)被施加所述第一電位，所述第二有源元件的第一主電極區(qū)被施加所述第二電位。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

所述絕緣層與所述第一阱區(qū)相向。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

通過在所述第一阱區(qū)的正下方設(shè)置所述絕緣層，來降低由所述第二阱區(qū)、所述第一阱區(qū)以及所述半導(dǎo)體層形成的寄生雙極晶體管的電流放大率。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

所述第一阱區(qū)的底面與所述絕緣層之間的距離為150μm以上。