[發明專利]氧化物燒結體

在審

• 申請號: 201580040059.6
• 申請日: 2015-07-28
• 公開（公告）號: CN106660881A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 中田邦彥
• 申請（專利權）人: 住友化學株式會社
• 主分類號: C04B35/00
• 分類號: C04B35/00;C04B35/645;C23C14/34
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 葛凡

技術領域

本發明涉及一種氧化物燒結體。

背景技術

由包含In、Ga及Zn的氧化物燒結體形成的氧化物半導體膜具有載流子的遷移率比非晶硅膜大的優點。從批量生產性的方面出發，該氧化物半導體膜一般使用包含含有In、Ga及Zn的氧化物燒結體的濺射靶并利用濺射法來形成。

作為含有In、Ga及Zn的氧化物燒結體，例如在專利文獻1中記載了：維氏硬度為724、相對密度為96％且體電阻值為9.5×10^-4Ω·cm的氧化物燒結體；維氏硬度為534、相對密度為96％且體電阻值為1.4×10^-3Ω·cm的氧化物燒結體；維氏硬度為480、相對密度為97％且體電阻值為4.2×10^-3Ω·cm的氧化物燒結體等。另外，在專利文獻2中記載了：抗折強度為117MPa且相對密度為95.9％的InGaZnO₄單相的氧化物燒結體；抗折強度為151MPa且相對密度為96.8％的InGaZnO₄單相的氧化物燒結體；抗折強度為157MPa且相對密度為96.1％的InGaZnO₄單相的氧化物燒結體；抗折強度為206MPa且相對密度為97.2％的InGaZnO₄單相的氧化物燒結體等。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012-052227號公報

專利文獻2：日本特開2013-129545號公報

發明內容

發明要解決的課題

本發明的目的在于提供機械強度高、相對密度高、體電阻值小且組成均勻的氧化物燒結體。

用于解決課題的手段

為了達成上述目的，本發明提供以下的發明。

[1]一種氧化物燒結體，其是包含In、Ga及Zn的氧化物燒結體，該氧化物燒結體在L＊a＊b＊表色系中的L＊為35以下。

[2]根據[1]所述的氧化物燒結體，其在L＊a＊b＊表色系中的a＊為-0.6以下。

[3]根據[1]或[2]所述的氧化物燒結體，其維氏硬度為400以上。

[4]根據[1]～[3]中任一項所述的氧化物燒結體，其抗折強度為90MPa以上。

[5]根據[1]～[4]中任一項所述的氧化物燒結體，其相對密度為99.5％以上。

[6]根據[1]～[5]中任一項所述的氧化物燒結體，其體電阻值不足1.0×10^-3Ω·cm。

[7]根據[1]～[6]中任一項所述的氧化物燒結體，其單相比例為97.5％以上。

[8]根據[1]～[7]中任一項所述的氧化物燒結體，其晶體粒徑為9μm以下。

[9]一種氧化物燒結體，其是包含In、Ga及Zn的氧化物燒結體，該氧化物燒結體的維氏硬度為450以上，相對密度超過97％，體電阻值不足1.0×10^-3Ω·cm。

[10]一種氧化物燒結體，其是包含In、Ga及Zn的氧化物燒結體，該氧化物燒結體的抗折強度為130MPa以上，相對密度超過97％，體電阻值不足1.0×10^-3Ω·cm。

[11]根據[10]所述的氧化物燒結體，其維氏硬度為450以上。

[12]根據[9]～[11]中任一項所述的氧化物燒結體，其在L＊a＊b＊表色系中的L＊為35以下。

[13]根據[9]～[12]中任一項所述的氧化物燒結體，其在L＊a＊b＊表色系中的a＊為-0.6以下。

[14]根據[9]～[13]中任一項所述的氧化物燒結體，其相對密度為99.5％以上。

[15]根據[9]～[14]中任一項所述的氧化物燒結體，其單相比例為97.5％以上。

[16]根據[9]～[15]中任一項所述的氧化物燒結體，其晶體粒徑為4.5μm以下。

[17]一種濺射靶，其包含[1]～[16]中任一項所述的氧化物燒結體。

發明效果

本發明的氧化物燒結體的機械強度高、相對密度高、體電阻值小且組成均勻。

具體實施方式

本發明的氧化物燒結體包含銦(In)、鎵(Ga)及鋅(Zn)，并且還包含氧(O)作為構成元素，優選使原子的99％以上由銦、鎵、鋅和構成，該氧化物燒結體可以以下述式來表示。

式：In_xGa_yZn_zO_a