[發(fā)明專利]陰極構(gòu)件及使用其的等離子體裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580038736.0 | 申請(qǐng)日: | 2015-07-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106536785B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-12-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 加藤健治;高橋正人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日新電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C23C14/24 | 分類號(hào): | C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 楊文娟;臧建明 |
| 地址: | 日本京都府京都*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陰極 構(gòu)件 使用 等離子體 裝置 | ||
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





