[發(fā)明專利]復(fù)合配制物和電子組件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580037284.4
• 申請(qǐng)日: 2015-07-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106661296A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 阿龍·霍爾姆;多米尼克·瑪麗·M·弗雷克曼;珍妮弗·L·羅比森;馬克·F·瓦滕貝格;王佳玲;喬什·H·戈?duì)柕?/a>;高婷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 泰科電子公司
• 主分類號(hào): C08L27/16
• 分類號(hào): C08L27/16;C08L23/28;C08L101/12;C08K9/10;C08K9/04;C08K7/00;C08K3/08;C08K7/06
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 程紓孟

1.一種復(fù)合配制物，所述復(fù)合配制物包含：

具有至少15％結(jié)晶度的聚合物基質(zhì)；和

與所述聚合物基質(zhì)共混的金屬粒子，所述金屬粒子包含具有第一長(zhǎng)徑比的第一粒子和具有第二長(zhǎng)徑比的第二粒子，所述第一長(zhǎng)徑比大于所述第二長(zhǎng)徑比；和

覆蓋在所述第一和第二粒子上的以復(fù)合配制物的體積計(jì)至少5％的加工助劑；

其中所述第一粒子為在所述復(fù)合配制物中按體積計(jì)15％至30％之間的濃度，并且所述第二粒子為在所述復(fù)合配制物中按體積計(jì)10％至20％之間的濃度，并且所述第一粒子占被加工助劑處理過(guò)的金屬粒子的濃度高于第二粒子的濃度；并且

其中對(duì)于所述復(fù)合配制物來(lái)說(shuō)，當(dāng)通過(guò)擠出或成型加工時(shí)，所述第一粒子和所述第二粒子產(chǎn)生降低的逾滲閾值，所述降低的逾滲閾值是與沒(méi)有包含所述第一粒子和所述第二粒子的相似組合物相比的。

2.權(quán)利要求1所述的復(fù)合配制物，其中所述加工助劑包括癸二酸二辛酯或包含聚酯的增塑劑。

3.權(quán)利要求1所述的復(fù)合配制物，其中所述第一粒子的長(zhǎng)徑比是所述第二粒子至少兩倍大。

4.權(quán)利要求1所述的復(fù)合配制物，其中所述第一粒子是枝晶、薄片、或纖維，并且所述第二粒子是枝晶、薄片、或類球體粒子。

5.權(quán)利要求1所述的復(fù)合配制物，其中所述第一粒子具有小于400微米的最大尺寸。

6.權(quán)利要求1所述的復(fù)合配制物，其中所述第二粒子具有小于100微米的最大尺寸。

7.權(quán)利要求1所述的復(fù)合配制物，其中所述金屬粒子是含銅粒子并且選自由枝晶、類球體粒子、薄片和纖維組成的組。

8.權(quán)利要求7所述的復(fù)合配制物，其中所述含銅粒子包含錫、鋁、不銹鋼、銀和鎳中的一種或多種。

9.權(quán)利要求1所述的復(fù)合配制物，其中所述金屬粒子包含錫、鋁、不銹鋼、銀和鎳中的一種或多種。

10.權(quán)利要求1所述的復(fù)合配制物，其中所述復(fù)合配制物是可擠出的或可成型的。

11.權(quán)利要求1所述的復(fù)合配制物，其中所述聚合物基質(zhì)包括聚偏二氟乙烯、聚偏二氟乙烯/六氟丙烯共聚物、聚偏二氟乙烯/四氟乙烯/六氟丙烯三元共聚物、乙烯四氟乙烯共聚物、氟化乙烯丙烯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、液晶聚合物、聚碳酸酯、聚酰胺、聚苯硫醚、或它們的組合。

12.權(quán)利要求1所述的復(fù)合配制物，其中所述復(fù)合配制物具有在23℃下小于0.004歐姆.cm的電阻率。

13.權(quán)利要求1所述的復(fù)合配制物，其中所述復(fù)合配制物具有根據(jù)ASTM B539-02在200克的力下小于0.5歐姆的接觸電阻。

14.一種由根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合配制物制造的電氣組件，其中所述電氣組件選自由下列各項(xiàng)組成的組：天線、電磁干擾屏蔽裝置、連接器外殼、以及它們的組合。

15.權(quán)利要求14所述的電氣組件，其中復(fù)合產(chǎn)品通過(guò)擠出或成型形成。