[發明專利]復合配制物和電子組件在審
| 申請號: | 201580037284.4 | 申請日: | 2015-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN106661296A | 公開(公告)日: | 2017-05-10 |
| 發明(設計)人: | 阿龍·霍爾姆;多米尼克·瑪麗·M·弗雷克曼;珍妮弗·L·羅比森;馬克·F·瓦滕貝格;王佳玲;喬什·H·戈爾登;高婷 | 申請(專利權)人: | 泰科電子公司 |
| 主分類號: | C08L27/16 | 分類號: | C08L27/16;C08L23/28;C08L101/12;C08K9/10;C08K9/04;C08K7/00;C08K3/08;C08K7/06 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人: | 程紓孟 |
| 地址: | 美國賓夕法尼亞州伯溫市韋*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 復合 配制 電子 組件 | ||
1.一種復合配制物,所述復合配制物包含:
具有至少15%結晶度的聚合物基質;和
與所述聚合物基質共混的金屬粒子,所述金屬粒子包含具有第一長徑比的第一粒子和具有第二長徑比的第二粒子,所述第一長徑比大于所述第二長徑比;和
覆蓋在所述第一和第二粒子上的以復合配制物的體積計至少5%的加工助劑;
其中所述第一粒子為在所述復合配制物中按體積計15%至30%之間的濃度,并且所述第二粒子為在所述復合配制物中按體積計10%至20%之間的濃度,并且所述第一粒子占被加工助劑處理過的金屬粒子的濃度高于第二粒子的濃度;并且
其中對于所述復合配制物來說,當通過擠出或成型加工時,所述第一粒子和所述第二粒子產生降低的逾滲閾值,所述降低的逾滲閾值是與沒有包含所述第一粒子和所述第二粒子的相似組合物相比的。
2.權利要求1所述的復合配制物,其中所述加工助劑包括癸二酸二辛酯或包含聚酯的增塑劑。
3.權利要求1所述的復合配制物,其中所述第一粒子的長徑比是所述第二粒子至少兩倍大。
4.權利要求1所述的復合配制物,其中所述第一粒子是枝晶、薄片、或纖維,并且所述第二粒子是枝晶、薄片、或類球體粒子。
5.權利要求1所述的復合配制物,其中所述第一粒子具有小于400微米的最大尺寸。
6.權利要求1所述的復合配制物,其中所述第二粒子具有小于100微米的最大尺寸。
7.權利要求1所述的復合配制物,其中所述金屬粒子是含銅粒子并且選自由枝晶、類球體粒子、薄片和纖維組成的組。
8.權利要求7所述的復合配制物,其中所述含銅粒子包含錫、鋁、不銹鋼、銀和鎳中的一種或多種。
9.權利要求1所述的復合配制物,其中所述金屬粒子包含錫、鋁、不銹鋼、銀和鎳中的一種或多種。
10.權利要求1所述的復合配制物,其中所述復合配制物是可擠出的或可成型的。
11.權利要求1所述的復合配制物,其中所述聚合物基質包括聚偏二氟乙烯、聚偏二氟乙烯/六氟丙烯共聚物、聚偏二氟乙烯/四氟乙烯/六氟丙烯三元共聚物、乙烯四氟乙烯共聚物、氟化乙烯丙烯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、液晶聚合物、聚碳酸酯、聚酰胺、聚苯硫醚、或它們的組合。
12.權利要求1所述的復合配制物,其中所述復合配制物具有在23℃下小于0.004歐姆.cm的電阻率。
13.權利要求1所述的復合配制物,其中所述復合配制物具有根據ASTM B539-02在200克的力下小于0.5歐姆的接觸電阻。
14.一種由根據權利要求1所述的復合配制物制造的電氣組件,其中所述電氣組件選自由下列各項組成的組:天線、電磁干擾屏蔽裝置、連接器外殼、以及它們的組合。
15.權利要求14所述的電氣組件,其中復合產品通過擠出或成型形成。
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