[發明專利]測量方法、電極、再生方法、等離子體蝕刻裝置和顯示方法

有效

• 申請號: 201580032059.1
• 申請日: 2015-12-25
• 公開（公告）號: CN106663625B
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發明（設計）人: 鈴木崇之
• 申請（專利權）人: A·SAT株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H05H1/46
• 代理公司: 北京庚致知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11807
• 代理人: 李偉波;李永虎

1.一種等離子體蝕刻裝置用電極上設置的氣體導入孔的測量方法，所述氣體導入孔設置成沿厚度方向貫穿所述等離子體蝕刻裝置用電極中的基材，其特征在于，所述方法包括：

使光從所述基材的一面側朝向所述氣體導入孔進行照射；

獲得不透過所述基材但通過所述氣體導入孔而透過所述基材的另一面側的所述光的二維圖像；以及

基于所述二維圖像，測量所述氣體導入孔的直徑、內壁面的粗糙度和垂直程度中的至少一個。

2.如權利要求1所述的等離子體蝕刻裝置用電極上設置的氣體導入孔的測量方法，其特征在于，所述光是相干光。

3.如權利要求1所述的等離子體蝕刻裝置用電極上設置的氣體導入孔的測量方法，其特征在于，基于沿所述二維圖像的掃描線的信號的斜率，來測量所述氣體導入孔的內壁面的粗糙度。

4.如權利要求1所述的等離子體蝕刻裝置用電極上設置的氣體導入孔的測量方法，其特征在于，還包括：從所述基材的一面側來獲取所述氣體導入孔的開口部圖像，

在測量所述氣體導入孔時，基于所述二維圖像和所述開口部圖像來進行測量。

5.一種電極，用于等離子體蝕刻裝置，其特征在于，

包括設有多個氣體導入孔的板狀基材，所述多個氣體導入孔在厚度方向上貫穿所述板狀基材，

在通過權利要求1所述的測量方法進行測量的情況下，將所述多個氣體導入孔的內壁面的粗糙度和垂直程度中的至少一個收斂在預設的一定范圍內。

6.如權利要求5所述的電極，其特征在于，所述基材的主材料是硅。

7.如權利要求5所述的電極，其特征在于，所述基材通過包含石英的至少兩種材料構成。

8.如權利要求5所述的電極，其特征在于，所述基材的主材料是碳化硅。

9.一種等離子體蝕刻裝置用電極的再生方法，所述電極設有在基材厚度方向中貫穿的氣體導入孔，其特征在于，所述方法包括：

測量在所述等離子體蝕刻裝置中使用了規定時間的所述電極的所述氣體導入孔的狀態；

基于所述氣體導入孔的狀態的測量結果，進行所述基材的表面的研磨和所述氣體導入孔的內壁面的加工的至少之一；以及

測量加工后的所述氣體導入孔的狀態，

其中，測量所述氣體導入孔的狀態包括：

使光從所述基材的一面側朝向所述氣體導入孔進行照射；

獲得不透過所述基材但通過所述氣體導入孔而透過所述基材的另一面側的所述光的二維圖像；以及

基于所述二維圖像，測量所述氣體導入孔的直徑、內壁面的粗糙度和垂直程度中的至少一個。

10.如權利要求9所述的等離子體蝕刻裝置用電極的再生方法，其特征在于，所述光是相干光。

11.如權利要求9所述的等離子體蝕刻裝置用電極的再生方法，其特征在于，基于沿所述二維圖像的掃描線的信號的斜率，來測量所述氣體導入孔的內壁面的粗糙度。

12.如權利要求9所述的等離子體蝕刻裝置用電極的再生方法，其特征在于，還包括：從所述基材的一面側來獲取所述氣體導入孔的開口部圖像，

在測量所述氣體導入孔時，基于所述二維圖像和所述開口部圖像來進行測量。

13.如權利要求9所述的等離子體蝕刻裝置用電極的再生方法，其特征在于，在所述氣體導入孔的狀態的測量結果中，在所述氣體導入孔的內壁面的粗糙度收斂在預設范圍內時，對所述基材的表面進行研磨，當不收斂在預設范圍內時，對所述氣體導入孔的內壁面進行加工。

14.如權利要求9所述的等離子體蝕刻裝置用電極的再生方法，其特征在于，所述氣體導入孔的內壁面加工包括使所述氣體導入孔的直徑變大的穿孔加工和對所述氣體導入孔的內壁面的蝕刻加工的至少一種。