[發明專利]可表面安裝的半導體器件及其制造方法有效
| 申請號: | 201580031722.6 | 申請日: | 2015-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN106663659B | 公開(公告)日: | 2019-12-20 |
| 發明(設計)人: | 托馬斯·施瓦茨;弗蘭克·辛格 | 申請(專利權)人: | 歐司朗光電半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/00 | 分類號: | H01L23/00;H01L33/38;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/52;H01L33/56;H01L33/62 |
| 代理公司: | 11227 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 丁永凡;李建航 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 表面 安裝 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
提出一種可表面安裝的半導體器件,所述半導體器件具有光電子半導體芯片(10)、多個第一接觸元件(31)、多個第二接觸元件(32),和成型體(40)。根據本發明提出:多個第一接觸元件(31)與光電子半導體芯片(10)的第一半導體層(21)導電連接,以及多個第二接觸元件(32)與第二半導體層(22)導電連接;成型體(40)至少部分地包圍光電子半導體芯片(10);光電子器件具有安裝面(50),所述安裝面至少局部地通過成型體(40)的表面形成;并且多個第一接觸元件和多個第二接觸元件在安裝面區域中穿過所述成型體伸出。此外,提出一種用于制造可表面安裝的半導體器件的方法。
技術領域
提出一種可表面安裝的半導體器件以及一種用于制造這種半導體器件的方法。
本專利申請要求德國專利申請102014108368.7的優先權,其公開內容通過參引并入本文。
背景技術
從現有技術中已知可表面安裝的光電子半導體器件,所述半導體器件具有由硅樹脂構成的包覆件,所述包覆件至少構成在半導體器件的上側上和側面上。在所述半導體器件中,由于在包覆件和半導體芯片之間不足夠的附著能夠造成包覆件的脫層,由此產生氣隙,所述氣隙降低半導體器件的效率。在不利的情況下,甚至能夠進行包覆件的完全的分離。
此外,已知如下半導體器件,在所述半導體器件的下側上附加地構成由硅樹脂構成的膜,所述膜例如通過添加由二氧化鈦構成的散射顆粒而起反射作用。典型地,該半導體器件的制造通過以下方式進行:依次構成下側上的、由硅樹脂構成的反射膜一方和具有轉換介質的包覆件另一方。由于兩個元件不同時硬化,在所述元件之間能夠出現附著問題,由此在兩個元件之間的過渡部處存在半導體器件分開。
發明內容
本發明的目的是:提出一種可表面安裝的半導體器件,所述半導體器件具有機械穩定的包覆件。尤其地,目的是提出一種可表面安裝的半導體器件,所述半導體器件在安裝狀態下相對機械負荷是尤其魯棒的。
該目的通過一種可表面安裝的半導體器件來實現,所述半導體器件包括:光電子半導體芯片,多個第一接觸元件,多個第二接觸元件,和成型體,其中所述光電子半導體芯片具有半導體本體,所述半導體本體包括具有設置用于產生和/或接收電磁輻射的有源區域的半導體層序列、所述有源區域設置在第一半導體層和第二半導體層之間,所述多個第一接觸元件與所述第一半導體層導電連接以及所述多個第二接觸元件與所述第二半導體層導電連接,所述成型體至少部分地包圍所述光電子半導體芯片,所述半導體器件具有安裝面,所述安裝面至少局部地通過所述成型體的表面形成,并且所述多個第一接觸元件和所述多個第二接觸元件在所述安裝面區域中穿過所述成型體伸出,并且每個所述接觸元件包括聯接底座和蓋元件,所述蓋元件豎直地超出所述安裝面,所述成型體全方位地包覆所述半導體芯片;以及通過用于制造表面安裝的半導體器件的方法實現,所述方法具有如下步驟:a)提供輔助載體;b)提供多個光電子半導體芯片,其中每個所述半導體芯片具有半導體本體,所述半導體本體包括具有設置用于產生和/或接收電磁輻射的有源區域的半導體層序列,所述有源區域設置在第一半導體層和第二半導體層之間,c)將所述多個半導體芯片固定在所述輔助載體上,其中所述半導體芯片在橫向方向上彼此隔開并且在每個所述半導體芯片和所述輔助載體之間設置不含固體材料的中間空間;d)構成包覆所述半導體芯片的成型體復合結構,f)移除所述輔助載體;并且g)將所述成型體復合結構分割成多個光電子半導體器件,其中每個半導體器件具有至少一個半導體芯片、多個第一接觸元件、多個第二接觸元件,和成型體復合結構的一部分作為成型體,其中所述成型體全方位地包覆所述半導體芯片。其他設計方案和有利方案是本文的主題。
根據可表面安裝的半導體器件的至少一個實施方式,可表面安裝的半導體器件具有光電子半導體芯片。光電子半導體芯片能夠是接收輻射的半導體芯片或發射輻射的半導體芯片。例如,半導體芯片是輻射二極管芯片、例如發光二極管芯片或激光二極管芯片。此外,可行的是:光電子半導體芯片是光電二極管芯片。此外,光電子半導體器件能夠包括多個這種半導體芯片。在此,光電子半導體器件尤其也能夠包括接收輻射的半導體芯片和產生輻射的半導體芯片。
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