[發明專利]可表面安裝的半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201580031722.6
• 申請日: 2015-06-09
• 公開（公告）號: CN106663659B
• 公開（公告）日: 2019-12-20
• 發明（設計）人: 托馬斯·施瓦茨;弗蘭克·辛格
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L33/38;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/52;H01L33/56;H01L33/62
• 代理公司: 11227 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 丁永凡;李建航

1.一種可表面安裝的半導體器件(100)，所述半導體器件包括

-光電子半導體芯片(10)，

-多個第一接觸元件(31)，

-多個第二接觸元件(32)，和

-成型體(40)，

其中

-所述光電子半導體芯片具有半導體本體(20)，所述半導體本體包括具有設置用于產生和/或接收電磁輻射的有源區域(23)的半導體層序列(24)、所述有源區域設置在第一半導體層(21)和第二半導體層(22)之間，

-所述多個第一接觸元件(31)與所述第一半導體層(21)導電連接以及所述多個第二接觸元件(32)與所述第二半導體層(22)導電連接，

-所述成型體(40)至少部分地包圍所述光電子半導體芯片(10)，

-所述半導體器件具有安裝面(50)，所述安裝面至少局部地通過所述成型體(40)的表面形成，并且

-所述多個第一接觸元件和所述多個第二接觸元件在所述安裝面區域中穿過所述成型體伸出，-每個所述接觸元件(32，32)包括聯接底座(33)和蓋元件(34)，所述蓋元件豎直地超出所述安裝面(50)，并且

-所述成型體(40)全方位地包覆所述半導體芯片(10)，

其中所述成型體(40)一件式地構成。

2.根據權利要求1所述的半導體器件(100)，

其中所述多個第一接觸元件(31)和所述多個第二接觸元件(32)在所述半導體器件(100)的俯視圖中與所述半導體本體(20)疊加。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件(100)，

其中所述半導體芯片(10)包括電絕緣構成的載體本體(12)，所述載體本體設置在所述半導體本體(20)的背離所述安裝面(50)的一側上。

4.根據權利要求1或2所述的半導體器件(100)，

其中所述成型體(40)至少局部地模制到所述半導體芯片(10)和所述多個第一接觸元件和所述多個第二接觸元件(31，32)上。

5.根據權利要求1或2所述的半導體器件(100)，

其中所述成型體(40)包含硅樹脂或環氧化物。

6.根據權利要求1或2所述的半導體器件(100)，

其中所述成型體(40)在所述安裝面(50)的區域中具有10μm和150μm之間的高度。

7.根據權利要求1或2所述的半導體器件(100)，

其中在所述多個第一接觸元件(31)和所述多個第二接觸元件(32)之間施加壓敏電阻漿料(35)，所述壓敏電阻漿料構成用于：保護所述光電子半導體芯片(10)免受靜電放電影響。

8.根據權利要求1或2所述的半導體器件(100)，

其中所述多個第一接觸元件(31)經由第一聯接層(61)與所述第一半導體層(21)導電連接，并且所述多個第二接觸元件(32)經由第二聯接層(62)與所述第二半導體層(22)導電連接，并且所述第一聯接層(31)和所述第二聯接層(32)在所述半導體器件(100)的俯視圖中相互疊加。

9.根據權利要求1或2所述的半導體器件(100)，

其中所述成型體(40)包含發光轉換材料。

10.根據權利要求1或2所述的半導體器件(100)，

其中至少局部地將發光轉換層(42)設置在所述成型體(40)和所述半導體芯片(10)之間。