[發明專利]半導體晶圓表面保護用粘合帶

有效

• 申請號: 201580027900.8
• 申請日: 2015-09-15
• 公開（公告）號: CN106716603B
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發明（設計）人: 橫井啟時
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;C09J7/20
• 代理公司: 11021 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 雒運樸

本發明課題為提供一種半導體晶圓表面保護用粘合帶，即使貼合在尤其是具有金凸塊的半導體晶圓并放置，也不會發生浮起的現象，在研磨半導體晶圓的背面時，塵埃或水不會浸入，可將半導體晶圓研磨成膜，半導體晶圓不會發生破裂或殘膠而能夠剝離。課題解決手段為一種半導體晶圓表面保護用粘合帶，其至少具有粘合劑層與基材膜，并且粘合劑層不會因為能量射線的照射而固化，在23℃時對于剝離速度50mm/min下的SUS280研磨面的粘合力A與對于剝離速度500mm/min下的SUS280研磨面的粘合力B的比值B/A低于4.0，對于剝離速度300mm/min下的SUS280研磨面的粘合力，在23℃時為1.2～4.5N/25mm，在50℃時的粘合力為在23℃時的粘合力的50％以下。

技術領域

本發明關于一種半導體晶圓表面保護用粘合帶。進一步詳細而言，關于一種在將半導體晶圓研磨成薄膜時所使用的半導體晶圓表面保護用粘合帶。

背景技術

半導體封裝，是將高純度單晶硅等切片制成半導體晶圓后，藉由離子植入、蝕刻等在該晶圓表面形成集成電路而制造。將形成有集成電路的半導體晶圓背面加以研磨，藉由研磨等方法，使半導體晶圓成為所希望的厚度。此時為了保護形成于半導體晶圓表面的集成電路，可使用半導體晶圓表面保護用粘合帶。經過背面研磨的半導體晶圓，在背面研磨結束后會被收納在晶圓盒，然后運送至切割步驟加工成半導體芯片。半導體晶圓表面保護用粘合帶，一般而言是粘合劑層層疊于基材膜而成，并且是將粘合劑層貼附在半導體晶圓的背面來使用。

以往是藉由背面研磨，將半導體晶圓的厚度削薄至200～400μm左右。但是，隨著近年來高密度安裝技術的進步，半導體芯片必須小型化，使得半導體晶圓往薄化發展。依照半導體芯片種類不同，會有必須薄至100μm左右的情形。另外，為了使一次加工所能夠制造出的半導體芯片的數目增加，晶圓直徑也有大型化的傾向。目前直徑5英寸或6英寸的晶圓為主流，然而近年來由直徑8～12英寸的半導體晶圓加工成半導體芯片逐漸成為主流。

半導體晶圓的薄化及大直徑化的潮流，尤其是在存在NAND型或NOR型的閃存領域、或揮發性內存的DRAM等領域，有顯著出現的傾向。例如使用直徑12英寸的半導體晶圓并研磨至150μm的厚度以下的情況也并不稀奇。

通常，半導體晶圓會被機械手臂從被稱為晶圓盒的專用的盒逐枚取出，并藉由研磨機器內的半導體晶圓固定用夾具來保持，以進行背面研磨。經過背面研磨的半導體晶圓會藉由機械手臂被收納在晶圓盒，并且運送至后續步驟。若將大口徑的半導體晶圓磨薄，則半導體晶圓的剛性降低，而容易彎曲。若此時半導體晶圓的彎曲嚴重，則在運送至后續步驟時會發生吸附不良，最差的情況半導體晶圓會在運送途中由吸附臂脫離而落下等問題，藉由背面研磨步驟至切割帶安裝步驟能夠一并實施而被稱為聯機系統的薄膜研磨專用機的登場、或開發出特殊的半導體晶圓表面保護用粘合帶(參考例如日本專利文獻1、2)而逐漸解決。藉由導入這些半導體晶圓表面保護用粘合帶或薄膜研磨專用裝置，半導體晶圓運送時運送失誤的問題得以解決，認為今后研磨厚度也會日漸往薄膜化發展。

然而，研磨后的薄型晶圓會被安裝在切割帶或切割·芯片接合膜，然后半導體晶圓表面保護用粘合帶會在裝置內被剝離。如以上所述般，將半導體晶圓表面保護用粘合帶剝離時，由于半導體晶圓為大直徑而且為薄膜，若剝離力高，則會對半導體晶圓造成負荷，容易發生破裂的問題。

此外，近年來倒裝芯片的安裝方式等逐漸增加，利用焊接凸塊或金凸塊等的接合方式也在增加。尤其這些晶圓是藉由被稱為底部填充劑的樹脂來密封，因此為了提升與底部填充劑的密合性，會有進行晶圓表面的活性化來強化與底部填充劑的密合性的傾向。但是隨著與底部填充劑的密合性提升，與半導體晶圓表面保護用粘合帶的密合性也會提升，必要的剝離力變高，而發生剝離不良的問題。