[發(fā)明專利]半導體晶圓表面保護用粘合帶有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580027900.8 | 申請日: | 2015-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN106716603B | 公開(公告)日: | 2020-01-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 橫井啟時 | 申請(專利權)人: | 古河電氣工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;C09J7/20 |
| 代理公司: | 11021 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 雒運樸 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 表面 保護 粘合 | ||
1.一種半導體晶圓表面保護用粘合帶,其特征在于,貼合在表面具有高低差的半導體晶圓并在此狀態(tài)下放置時不會發(fā)生浮起,
所述半導體晶圓表面保護用粘合帶至少具有粘合劑層與基材膜,
所述粘合劑層不會因為能量射線的照射而固化,
在23℃時對于剝離速度50mm/min下的SUS280研磨面的粘合力A與在23℃時對于剝離速度500mm/min下的SUS280研磨面的粘合力B的比值B/A低于4.0,
關于對于剝離速度300mm/min下的SUS280研磨面的粘合力,在23℃時的粘合力為1.2~4.5N/25mm,在50℃時的粘合力為在23℃時的粘合力的50%以下。
2.如權利要求1所述的半導體晶圓表面保護用粘合帶,其特征在于,所述粘合劑層以在有機溶劑中合成的(甲基)丙烯酸系聚合物為主成分,所述(甲基)丙烯酸系聚合物具有羥基及羧基,酸值為40~70mgKOH/g。
3.如權利要求1所述的晶圓表面保護用粘合帶,其特征在于,所述粘合劑層以在水溶液中合成的(甲基)丙烯酸系聚合物為主成分,相對于所述(甲基)丙烯酸系聚合物100質量份,使用異氰酸酯系交聯(lián)劑或環(huán)氧系交聯(lián)劑0.1質量份以下,使至少一部分交聯(lián)而成。
4.如權利要求1至3中任一項所述的半導體晶圓表面保護用粘合帶,其特征在于,其用于貼合于在表面具有10μm以上的高低差的半導體晶圓、并將所述半導體晶圓研磨至300μm以下。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于古河電氣工業(yè)株式會社,未經古河電氣工業(yè)株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201580027900.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種i/q基帶信號發(fā)生器
- 下一篇:一種載波頻偏調節(jié)方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





