[發明專利]具有經改進RDS＊CGD的LDMOS晶體管及形成所述LDMOS晶體管的方法有效
| 申請號： | 201580010177.2 | 申請日： | 2015-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN106030820B | 公開（公告）日： | 2019-09-24 |
| 發明（設計）人： | 蔡軍 | 申請（專利權）人： | 德州儀器公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 林斯凱 |
| 地址： | 美國德*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 改進 rds cgd ldmos 晶體管 形成 方法 | ||
【說明書】：
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