[發(fā)明專利]具有經(jīng)改進(jìn)RDS＊CGD的LDMOS晶體管及形成所述LDMOS晶體管的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580010177.2 | 申請(qǐng)日： | 2015-03-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106030820B | 公開（公告）日： | 2019-09-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蔡軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 德州儀器公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/78 | 分類號(hào)： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 林斯凱 |
| 地址： | 美國(guó)德*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 改進(jìn) rds cgd ldmos 晶體管 形成 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
- 用于針對(duì)無線電數(shù)據(jù)系統(tǒng)(RDS)數(shù)據(jù)而下載一個(gè)或一個(gè)以上無線電數(shù)據(jù)系統(tǒng)(RDS)群組類型處理例程的方法及設(shè)備
- 用于發(fā)射無線電數(shù)據(jù)系統(tǒng)(RDS)數(shù)據(jù)的方法及系統(tǒng)
- 基于鉆井行業(yè)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)服務(wù)系統(tǒng)及數(shù)據(jù)交互方法
- 無線電數(shù)據(jù)系統(tǒng)(RDS)數(shù)據(jù)處理方法及設(shè)備
- FM-RDS/DAB信號(hào)接收機(jī)的檢測(cè)設(shè)備及設(shè)備的檢測(cè)方法
- 使能對(duì)可靠數(shù)據(jù)服務(wù)和PS數(shù)據(jù)關(guān)閉的支持
- 一種經(jīng)濟(jì)型帶RDS的數(shù)字調(diào)頻激勵(lì)器
- 一種基于RDS終端的油水井生產(chǎn)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
- 用于通知應(yīng)用功能節(jié)點(diǎn)關(guān)于網(wǎng)絡(luò)的RDS配置的方法和裝置
- 自動(dòng)化測(cè)試RDS功能的方法、系統(tǒng)、設(shè)備與介質(zhì)
