[實用新型]一種單層片式陶瓷電容器有效
| 申請號: | 201521140654.0 | 申請日: | 2015-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN205319034U | 公開(公告)日: | 2016-06-15 |
| 發明(設計)人: | 李偉力;沈昆嵐;李國正;闕華昌;徐曉;方弋 | 申請(專利權)人: | 昆山萬豐電子有限公司 |
| 主分類號: | H01G4/12 | 分類號: | H01G4/12;H01G4/224;H01G4/005 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215300 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 單層 陶瓷 電容器 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種能夠在電路中起儲能、濾波、振蕩、耦合作用的小型化陶瓷電容器,尤其指一種 單層片式陶瓷電容器。
背景技術
陶瓷電容器作為基礎電子元件,廣泛應用于電源、家電、安防、通訊、汽車等設備的電路中,起儲能、 濾波、震蕩、耦合、抑制電磁干擾等作用。近年來,疊層電容器以小型化、大容量、低等效電阻等優點已 取代低壓單層陶瓷電容器.疊層電容器介質層薄、耐電壓能力不足,且制程過程中易因內電極材料與介質 材料膨脹系數不匹配造成介質層間隙、開裂,造成中高電壓下的產品失效。在中高壓陶瓷電容器方面,尤 其是失效后可能導致觸電風險的安規電容器方面,疊層電容器難以替代單層陶瓷電容器。
傳統單層陶瓷電容器采用的圓柱體式結構主要由電極形狀決定,電容器的耐電壓擊穿存在邊緣效應, 即電容器耐電壓擊穿點主要位于電容器電極邊緣,其產生原因為電極上施加電壓后,電荷趨向于盡可能廣 的鋪散在電極表面,電極邊緣電荷受到其他區域電荷的共同斥力,為保持受力平衡,電極邊緣處電荷間距 比電極中心區域電荷間距更小,從而造成電極邊緣電荷密度及電場強度大于電極中心區域,優先擊穿,邊 緣效應屬尖端放電的一種形式,當電極形狀設計為邊緣存在大曲率的尖端時,電容在尖端處優先擊穿,因 此傳統電容器設計為曲率處處相等的圓形,以減弱邊緣效應。相應的,其陶瓷電容本體也設計為圓柱形, 近年來隨著疊層線路板、整體封裝等技術的發展,對元件的體積、高度都有進一步縮小的要求,傳統圓柱 形陶瓷電容因焊接引線后立式安裝,即圓柱體的圓面垂直于電路板方向安裝,占用高度過高,不利于減小 占用體積,當前已出現將圓柱體式單層電容器平放安裝,即圓柱體的圓面平行于電路板平面安裝,此方式 可降低安裝高度。為方便定位及自動化安裝,業內開始將陶瓷電容器包封層外殼設計為矩形,當平放安裝 的圓片陶瓷電容本體與矩形外殼配合使用時,圓片邊緣與矩形直角間存在較大間距,存在空間及包封材料 的浪費,傳統圓柱電容器需進行改進,以滿足當前陶瓷芯片片式化、整體尺寸減小、電容安裝高度降低等 需求,減少單層中高壓陶瓷電容器占用空間,實現小型化。
實用新型內容
本實用新型需解決的技術問題是提供一種小型化且耐電壓性能符合國家標準的單層片式陶瓷電容器, 他可以有效減小陶瓷電容器占用空間,實現小型化,減少材料浪費,且扁平化安裝。
本實用新型解決現有技術問題所采用的技術方案是:一種單層片式陶瓷電容器,其包括有電容本體、 第一引線、第二引線、焊錫、包封層,所述電容本體包括陶瓷基體、第一電極、第二電極,所述陶瓷基體 為兩相對底面上分別存在臺體狀凹形空缺的長方體形陶瓷介質板,兩臺體狀凹形空缺全等,臺體狀凹形空 缺存在中心軸且中心軸垂直于臺體狀凹形空缺所在的陶瓷介質板底面,臺體狀凹形空缺沿中心軸的截面為 軸對稱結構圖形,其對稱軸為中心軸且對稱軸通過陶瓷基體體心,第一電極、第二電極分別位于陶瓷基體 的有凹形空缺的表面上,第一電極與第二電極全等且關于陶瓷基體體心對稱,第一電極、第二電極面積大 于陶瓷基體凹形空缺中與陶瓷介質板底面平行的較大的面的面積,通過焊錫在第一電極上焊接第一引線, 通過焊錫在第二電極上焊接第二引線,立方體形樹脂包封層包裹電容本體、焊錫及部分引線。
進一步的,所述的第一電極是將矩形四個直角替換為弧線形成的跑道形、橢圓形中的一種。
進一步的,所述的臺體狀凹形空缺為橢圓臺形或平行于臺體底面的截面為將矩形四個直角替換為弧線 而成的跑道形的臺體中的一種。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于昆山萬豐電子有限公司,未經昆山萬豐電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201521140654.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種高儲能電容單元
- 下一篇:一種具有過熱安全保護的電容器





