[實用新型]太陽能電池制備系統有效
| 申請號: | 201521135687.6 | 申請日: | 2015-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN205335279U | 公開(公告)日: | 2016-06-22 |
| 發明(設計)人: | 于琨;張興亮;魏強;張魏征 | 申請(專利權)人: | 光為綠色新能源股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/67 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 鄭小粵 |
| 地址: | 074000 河北省保定市高碑店市*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 制備 系統 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池技術領域,特別是涉及一種太陽能電池制備系 統。
背景技術
目前制備太陽能電池的多晶硅時,通常都采用定向凝固法生產工藝。而采 用定向凝固法制備的多晶硅由于受到雜質及晶界質量的影響,處于硅塊不同位 置處的硅片質量有所差異。同時,對硅塊進行切割、工裝等操作時,所得到的 每一片硅片的厚度、損傷層及反光率也盡不相同。
由此,當采用上述硅片進行太陽能電池的制備時,需要先對硅片進行統一 分類(即,分別對硅片的厚度、電阻率和外形尺寸等外觀特征參數進行檢測, 進而根據檢測結果將硅片分類),然后再對統一分類后的硅片進行統一的制絨、 擴散、刻蝕、預氧化膜和鍍膜等加工工藝,從而制備得到太陽能電池。即,先 通過硅片分選設備見硅片分選后,再直接投放至太陽能電池制備設備中進行統 一的一系列的加工工序。當采用上述對硅片進行分類后再進行硅片的統一加工 的設備制備太陽能電池時,通常會出現硅片的多個特征參數中某一特征參數不 同時仍采用相同的加工工藝加工硅片的現象,由此很容易導致最終生產太陽能 電池的效率分布集中度較低。
實用新型內容
基于此,有必要針對傳統的太陽能電池制備設備容易導致最終生產太陽能 電池的效率分布集中度較低的問題,提供一種太陽能電池制備系統。
為實現本實用新型目的提供的一種太陽能電池制備系統,包括特征存儲模 塊、第一分類模塊、多個第一工藝處理模塊、第二分類模塊和多個第二工藝處 理模塊;
所述特征存儲模塊,被配置為存儲預先檢測的基片的特征參數;
所述第一分類模塊與所述第二分類模塊均與所述特征存儲模塊通訊連接;
所述第一分類模塊設置在所述第一工藝處理模塊的上料口的前端,且被配 置為讀取所述特征參數中的第一特征參數,根據所述第一特征參數對所述基片 分類,并將不同類的所述基片輸送至不同的第一工藝處理模塊的上料口處;
不同的所述第一工藝處理模塊,被配置為對分類后的所述基片進行不同工 藝條件的第一工藝處理;
所述第二分類模塊設置在所述第一工藝處理模塊的下料口與所述第二工藝 處理模塊的上料口之間,且被配置為讀取所述特征參數中的第二特征參數,根 據所述第二特征參數對經過所述第一工藝處理后的所述基片進行再次分類,將 不同類的所述基片輸送至不同的所述第二工藝處理模塊的上料口處;
不同的所述第二工藝處理模塊,被配置為對再次分類后的所述基片進行不 同工藝條件的第二工藝處理。
在其中一個實施例中,所述第一特征參數包括線痕深度參數和電阻率參數;
所述第一分類模塊包括第一分類子裝置和第二分類子裝置;
所述第一工藝處理模塊包括制絨設備和擴散設備;
其中,所述第一分類子裝置位于所述制絨設備的上料口的前端,且被配置 為讀取所述線痕深度參數,根據所述線痕深度參數對所述基片進行第一分類, 并將經過第一分類后的所述基片輸送至不同的所述制絨設備的上料口處;
不同的所述制絨設備,被配置為對第一分類后的所述基片進行不同工藝條 件的制絨工藝處理;
所述第二分類子裝置設置在所述制絨設備的下料口與所述擴散設備的上料 口之間,且被配置為讀取所述根據所述電阻率參數對所述基片進行第二分類, 并將經過第二分類后的所述基片輸送至不同的所述擴散設備的上料口處;
不同的所述擴散設備,被配置為對第二分類后的所述基片進行不同工藝條 件的擴散工藝處理。
在其中一個實施例中,所述第二分類子裝置包括數據存儲模塊和比較分類 模塊;
所述數據存儲模塊,被配置為存儲預設的第一電阻率范圍、第二電阻率范 圍、第三電阻率范圍和第四電阻率范圍;
所述比較分類模塊,被配置為將所述電阻率參數分別與所述第一電阻率范 圍、所述第二電阻率范圍、所述第三電阻率范圍和所述第四電阻率范圍進行比 較;并當所述電阻率參數位于所述第一電阻率范圍時,將相應的所述基片分為 第一等級;當所述電阻率參數位于所述第二電阻率范圍時,將相應的所述基片 分為第二等級;當所述電阻率參數位于所述第三電阻率范圍時,將相應的所述 基片分為第三等級;當所述電阻率參數位于所述第四電阻率范圍時,將相應的 所述基片分為第四等級。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





