[實用新型]QFN封裝結構

有效

• 申請號: 201521134763.1
• 申請日: 2015-12-31
• 公開（公告）號: CN205282462U
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發明（設計）人: 陳莉;司文全;王建新
• 申請（專利權）人: 無錫華潤安盛科技有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/373
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 龐聰雅

技術領域

本實用新型涉及集成電路封裝技術，具體地說是一種QFN封裝結構。

背景技術

QFN(QuadFlatNo-leadPackage，方形扁平無引腳封裝)是表面貼裝型封 裝之一。QFN是一種無引腳封裝，呈正方形或矩形，封裝底部中央位置有一個 大面積裸露焊盤用來導熱，圍繞大焊盤的封裝外圍四周有實現電氣連結的導電 焊盤。

傳統的QFN封裝結構如圖1所示，它是基于銅材的一種封裝結構方式，產 品基材一般是由銅材12和鍍層11兩部分構成，基材的外形由連接筋、支撐載 體和焊接區組成。銅材12通常為A194、C7025等合金，銅材12表面電鍍上金 屬鍍層11以實現焊接功能，鍍層11一般采用錫或者鎳鈀金。

這種傳統類型的QFN存在以下缺點：(1)由于基材存在連接筋，引腳之間 的信號在傳輸的時候會受到干擾；(2)基材厚度至少為0.1mm，無法實現0.35mm 厚度以下更薄更小的QFN產品；(3)由于加工工藝(腐蝕)和結構的限制，類 似產品只能實現2排引腳的封裝，封裝尺寸大小也會受到限制；(4)現有QFN 產品的鍍層結構決定了加工環節必須有電鍍環節，電鍍一般會產生大量廢水廢 渣，造成環境負擔。

發明內容

本實用新型針對上述傳統QFN封裝結構存在的問題，提供一種新型的QFN 封裝結構，該結構可保證QFN產品的電性能，以及實現QFN產品的小型化。

按照本實用新型的技術方案：一種QFN封裝結構，包括由銀制成的基材， 所述基材的厚度為40-60um，所述基材上通過粘合層固定有芯片，所述芯片通過 引線與所述基材相連，所述基材上設置有覆蓋所述基材、所述芯片及引線的塑 封體。

所述QFN封裝結構的封裝厚度為0.25-0.75mm。

所述基材的中央布置有支撐載體，所述支撐載體的周圍布置有多個焊接區， 所述焊接區間的間距大于等于0.3mm。

本實用新型的技術效果在于：本實用新型采用銀作為基材，沒有多種金屬 的交互干擾和傳遞，保證了QFN產品的電性能和熱性能，并且基材的厚度為 40-60um，可實現QFN產品的小型化。

附圖說明

圖1為傳統的QFN封裝結構的剖面圖。

圖2為本實用新型的結構剖面圖。

圖3為圖2的仰視圖。

圖1～圖3中，附圖標記所分別指代的技術特征為：基材1、粘合層2、芯 片3、引線4、塑封體5、支撐載體6、焊接區7、鍍層11、銅材12。

具體實施方式

為使本實用新型的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附 圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。

如圖2所示，本實用新型是一種QFN封裝結構，包括由銀制成的基材1， 基材1的厚度為40-60um，基材1上通過粘合層2固定有芯片3，芯片3通過引 線4與基材1相連，基材1上設置有覆蓋基材1、芯片3及引線4的塑封體5。

QFN封裝結構的封裝厚度為0.25-0.75mm。

如圖3所示，是基材1的一種實施例。基材1的中央布置有支撐載體6，支 撐載體6的周圍布置有多個焊接區7，焊接區7有規律地排列，焊接區7間的間 距大于等于0.3mm。

本實用新型使用金屬銀作為基材，沒有多種金屬的交互干擾和傳遞，可保 證QFN產品的電性能和熱性能，同時銀基材也可以保證產品封裝良好的作業性； 銀基材不需要電鍍，可節約成本，減少污染。另外，本實用新型可以實現排布 任意排數的引腳，并且引腳的形狀也可以千變萬化。

上文對本實用新型進行了足夠詳細的具有一定特殊性的描述。所屬領域內 的普通技術人員應該理解，實施例中的描述僅僅是示例性的，在不偏離本實用 新型的真實精神和范圍的前提下做出所有改變都應該屬于本實用新型的保護范 圍。本實用新型所要求保護的范圍是由所述的權利要求書進行限定的，而不是 由實施例中的上述描述來限定的。