[實(shí)用新型]QFN封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201521134763.1 | 申請(qǐng)日： | 2015-12-31 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN205282462U | 公開(kāi)（公告）日： | 2016-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳莉;司文全;王建新 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 無(wú)錫華潤(rùn)安盛科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/29 | 分類號(hào)： | H01L23/29;H01L23/373 |
| 代理公司： | 無(wú)錫互維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32236 | 代理人： | 龐聰雅 |
| 地址： | 214028 *** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | qfn 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種QFN封裝結(jié)構(gòu)，其特征是：包括由銀制成的基材(1)，所述基材 (1)的厚度為40-60um，所述基材(1)上通過(guò)粘合層(2)固定有芯片(3)， 所述芯片(3)通過(guò)引線(4)與所述基材(1)相連，所述基材(1)上設(shè)置有 覆蓋所述基材(1)、所述芯片(3)及引線(4)的塑封體(5)。
2.按照權(quán)利要求1所述的QFN封裝結(jié)構(gòu)，其特征是：所述QFN封裝結(jié)構(gòu) 的封裝厚度為0.25-0.75mm。
3.按照權(quán)利要求1或2所述的QFN封裝結(jié)構(gòu)，其特征是：所述基材(1) 的中央布置有支撐載體(6)，所述支撐載體(6)的周圍布置有多個(gè)焊接區(qū)(7)， 所述焊接區(qū)(7)間的間距大于等于0.3mm。
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