[實用新型]晶圓單片腐蝕裝置

有效

• 申請號: 201521107729.5
• 申請日: 2015-12-25
• 公開（公告）號: CN205211718U
• 公開（公告）日: 2016-05-04
• 發明（設計）人: 鄧都
• 申請（專利權）人: 成都海威華芯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 胡川

技術領域

本實用新型涉及半導體腐蝕設備領域，特別是涉及一種晶圓單片腐 蝕裝置。

背景技術

半導體可應用于LED、太陽能等行業，目前，市場上應用于半導體 腐蝕的單片腐蝕機的噴頭上只有一個噴嘴，該噴嘴與一根噴管相連通， 噴管上設置一個流量控制閥來控制噴嘴的流量，在晶圓旋轉過程中，噴 頭沿著晶圓的徑向來回運動，噴嘴同時將化學腐蝕液涂抹在晶圓表面， 由于晶圓在旋轉，化學腐蝕液從晶圓中央逐漸滾動到晶圓邊緣，從而可 以得到腐蝕面。

然而，由于這種單片腐蝕機只有一個噴嘴，所以化學腐蝕液隨著晶 圓旋轉大部分都滾動到晶圓邊緣，造成晶圓邊緣過于腐蝕的效應。

實用新型內容

本實用新型主要解決的技術問題是提供一種晶圓單片腐蝕裝置，能 夠改善晶圓表面的腐蝕均勻性。

為解決上述技術問題，本實用新型采用的一個技術方案是：提供一 種晶圓單片腐蝕裝置，包括噴頭和噴管組件，所述噴頭端部的側面為錐 面，在所述噴頭端部的相對兩側錐面上分別設有第一噴嘴和第二噴嘴， 所述噴管組件包括第一噴管和第二噴管，所述第一噴管和第二噴管均連 接所述噴頭，且所述第一噴管與所述第一噴嘴相連通，所述第二噴管與 所述第二噴嘴相連通。

優選地，所述第一噴管上設有第一流量控制閥，所述第二噴管上設 有第二流量控制閥。

優選地，所述噴頭的端面為平面，在所述噴頭端面上還設有第三噴 嘴，所述噴管組件還包括第三噴管，所述第三噴管連接所述噴頭，且所 述第三噴管與所述第三噴嘴相連通。

優選地，所述第三噴管上設有第三流量控制閥。

優選地，所述第一噴嘴的流量是所述第三噴嘴的流量的1.2-1.6倍， 所述第一噴嘴的流量是所述第二噴嘴的流量的1.5-1.8倍。

區別于現有技術的情況，本實用新型的有益效果是：通過采用兩個 分別對晶圓的中央及邊緣噴射化學腐蝕液，可以使晶圓邊緣過于腐蝕的 效應得到中和，從而能夠改善晶圓表面的腐蝕均勻性，可以提高晶圓的 成品率，提高生產效率和經濟效益。

附圖說明

圖1是本實用新型一實施例改善晶圓腐蝕均勻性的單片腐蝕裝置的 結構示意圖。

圖2是圖1所示的單片腐蝕裝置的噴頭的放大示意圖。

圖3是本實用新型另一實施例改善晶圓腐蝕均勻性的單片腐蝕裝置 的結構示意圖。

圖4是圖3所示的單片腐蝕裝置的噴頭的放大示意圖。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的 技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本實用新 型的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例， 本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

一并參見圖1和圖2，是本實用新型一實施例改善晶圓腐蝕均勻性 的單片腐蝕裝置的結構示意圖。本實施例的改善晶圓腐蝕均勻性的單片 腐蝕裝置包括噴頭1和噴管組件2，噴頭1端部的側面為錐面，在噴頭 1端部的相對兩側錐面上分別設有第一噴嘴11和第二噴嘴12，噴管組 件2包括第一噴管21和第二噴管22，第一噴管21和第二噴管22均連 接噴頭1，且第一噴管21與第一噴嘴11相連通，第二噴管22與第二噴 嘴12相連通。

本實施例的單片腐蝕裝置在使用時，置于晶圓100上方，第一噴嘴 11朝向晶圓100中央，第二噴嘴12朝向晶圓100邊緣。晶圓100朝一 個方向高速旋轉，第一噴嘴11不停地向晶圓100中央噴射化學腐蝕液， 即使晶圓100中央的化學腐蝕液以一定速度向晶圓100邊緣流動，晶圓 100中央的腐蝕速率也能與晶圓100邊緣的腐蝕速率達到一致，從而改 善晶圓100表面的腐蝕均勻性。進一步地，可以控制第一噴嘴11和第 二噴嘴12的流量來控制腐蝕速率，具體而言，第一噴管21上設有第一 流量控制閥211，第二噴管22上設有第二流量控制閥221，通過第一流 量控制閥211和第二流量控制閥221來控制第一噴嘴11和第二噴嘴12 的流量，可以使晶圓100的腐蝕均勻性更容易得到控制和完善。