[實用新型]晶圓單片腐蝕裝置有效
| 申請號： | 201521107729.5 | 申請日： | 2015-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN205211718U | 公開（公告）日： | 2016-05-04 |
| 發明（設計）人： | 鄧都 | 申請（專利權）人： | 成都海威華芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單片 腐蝕 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶圓單片腐蝕裝置，其特征在于，包括噴頭和噴管組件，所 述噴頭端部的側面為錐面，在所述噴頭端部的相對兩側錐面上分別設有 第一噴嘴和第二噴嘴，所述噴管組件包括第一噴管和第二噴管，所述第 一噴管和第二噴管均連接所述噴頭，且所述第一噴管與所述第一噴嘴相 連通，所述第二噴管與所述第二噴嘴相連通。
2.根據權利要求1所述的晶圓單片腐蝕裝置，其特征在于，所述 第一噴管上設有第一流量控制閥，所述第二噴管上設有第二流量控制 閥。
3.根據權利要求1或2任一項所述的晶圓單片腐蝕裝置，其特征 在于，所述噴頭的端面為平面，在所述噴頭端面上還設有第三噴嘴，所 述噴管組件還包括第三噴管，所述第三噴管連接所述噴頭，且所述第三 噴管與所述第三噴嘴相連通。
4.根據權利要求3所述的晶圓單片腐蝕裝置，其特征在于，所述 第三噴管上設有第三流量控制閥。
5.根據權利要求4所述的晶圓單片腐蝕裝置，其特征在于，所述 第一噴嘴的流量是所述第三噴嘴的流量的1.2-1.6倍，所述第一噴嘴的 流量是所述第二噴嘴的流量的1.5-1.8倍。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
