[實用新型]一種自散熱大功率整體LED封裝

有效

• 申請號: 201521102813.8
• 申請日: 2015-12-28
• 公開（公告）號: CN205355073U
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發明（設計）人: 嚴其艷;劉勇求;楊立波;王華榮
• 申請（專利權）人: 廣東科技學院
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/06
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215
• 代理人: 梁年順

技術領域

本實用新型涉及一種自散熱大功率整體LED封裝。

背景技術

目前，現有LED的制作中，LED芯片的成本占到了綜合成本的一半以上；縮小藍光LED芯片的尺寸，進而降低LED整體制作成本是目前多數廠家普遍采用的途徑。LED芯片尺寸縮小后，為保證亮度不變，就需要提高輸入給LED芯片的電流密度。這樣一來，在這種大功率的電流密度前提下，申請人在做了很多次試驗后發現，其會產生兩個嚴重問題，第一、LED存在著電流抑制衰退現象，也就是電流密度越高LED芯片發光效率越低，提高電流密度，能量損失反而會變大。第二個就是散熱問題，即熱量非常大，對LED造成一定影響，因此，市場應該亟需解決上述兩個問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于克服以上所述的缺點，提供一種大功率、自散熱的整體LED封裝。

為實現上述目的，本實用新型的具體方案如下：一種自散熱大功率整體LED封裝，包括有金屬散熱底座，所述金屬散熱底座上設有多個LED外延片；

所述LED外沿片，包括有金屬襯底，所述金屬襯底的底面設有進氣開孔，所述金屬襯底的兩個側面均設有出氣開孔，所述兩個出氣開孔與進氣開孔聯通；

所述金屬襯底頂面還延伸有凸殼，所述凸殼內填充設有壓電陶瓷層；所述金屬襯底上方設有GaN緩沖層；所述GaN緩沖層上設有P-GaN接觸層；所述P-GaN接觸層，其一側設有第一多量子阱發光層，其另一側設有第二多量子阱發光層；

所述第一多量子阱發光層遠離P-GaN接觸層的一側設有第一N-GaN接觸層；所述第二多量子阱發光層遠離P-GaN接觸層的一側設有第二N-GaN接觸層；所述P-GaN接觸層的頂面電性連接有P型電極；所述第一N-GaN接觸層遠離第一多量子阱發光層的一側電性連接有第一N型電極；所述第二N-GaN接觸層遠離第二多量子阱發光層的一側電性連接有第二N型電極；

還包括有用于封裝LED外延片的封裝部，所述封裝部上設有多個出氣通道，所述出氣通道用于將出氣開孔與外界連通；所述金屬散熱底座設有多個進氣通道，所述進氣通道用于將進氣開孔與外界連通。

其中，所述P-GaN接觸層厚度為500-550nm。

其中，所述第一多量子阱發光層的厚度為13nm。

其中，所述第二多量子阱發光層的厚度為13nm。

其中，所述金屬散熱底座底面設有散熱鰭片。

其中，所述金屬散熱底座內設有用于放置驅動器的放置腔。

本實用新型的有益效果為：通過設置，首先解決了整體封裝的問題，通過散熱孔以及散熱通道的設置，實現了自散熱功能；兩個多量子阱發光層垂直設置，接觸層兩側分別設有第一多量子阱發光層和第二多量子阱發光層，且兩發光層分別設有第一N-GaN接觸層和第二N-GaN接觸層。也就是在P-GaN接觸層的兩面建立了發光層，這種并聯設置的發光層帶來的優點是在不增加芯面積的情況下有源發光層的面積增加了一倍，在相同的驅動電流下，流過發光層的電流密度下降了一半，使芯片內的電流密度均勻化程度提高，可有效降低電流抑制衰退現象，同時LED的正向壓降降低，進而大幅度提高發光效果。

附圖說明

圖1是本實用新型的LED外延片的結構示意圖；

圖2是本實用新型的結構示意圖；

圖1至圖2中的附圖標記說明：1-金屬襯底；11-進氣開孔；12-出氣開孔；13-凸殼；2-壓電陶瓷層；3-GaN緩沖層；4-P-GaN接觸層；51-第一多量子阱發光層；52-第二多量子阱發光層；61-第一N-GaN接觸層；62-第二N-GaN接觸層；71-第一N型電極；72-第二N型電極；8-P型電極；a1-金屬散熱底座；a2-LED外延片；a3-封裝部；a4-進氣通道；a5-出氣通道。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步詳細的說明，并不是把本實用新型的實施范圍局限于此。

如圖1至2所示，本實施例所述的一種自散熱大功率整體LED封裝，包括有金屬散熱底座a1，所述金屬散熱底座a1上設有多個LED外延片a2；