[實用新型]一種自散熱大功率整體LED封裝

有效

• 申請號: 201521102813.8
• 申請日: 2015-12-28
• 公開（公告）號: CN205355073U
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發明（設計）人: 嚴其艷;劉勇求;楊立波;王華榮
• 申請（專利權）人: 廣東科技學院
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/06
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215
• 代理人: 梁年順

1.一種自散熱大功率整體LED封裝，其特征在于：包括有金屬散熱底座（a1），所述金屬散熱底座（a1）上設有多個LED外延片（a2）；

所述LED外沿片，包括有金屬襯底（1），所述金屬襯底（1）的底面設有進氣開孔（11），所述金屬襯底（1）的兩個側面均設有出氣開孔（12），所述兩個出氣開孔（12）與進氣開孔（11）聯通；

所述金屬襯底（1）頂面還延伸有凸殼（13），所述凸殼（13）內填充設有壓電陶瓷層（2）；所述金屬襯底（1）上方設有GaN緩沖層（3）；所述GaN緩沖層（3）上設有P-GaN接觸層（4）；所述P-GaN接觸層（4），其一側設有第一多量子阱發光層（51），其另一側設有第二多量子阱發光層（52）；

所述第一多量子阱發光層（51）遠離P-GaN接觸層（4）的一側設有第一N-GaN接觸層（61）；所述第二多量子阱發光層（52）遠離P-GaN接觸層（4）的一側設有第二N-GaN接觸層（62）；所述P-GaN接觸層（4）的頂面電性連接有P型電極；所述第一N-GaN接觸層（61）遠離第一多量子阱發光層（51）的一側電性連接有第一N型電極（71）；所述第二N-GaN接觸層（62）遠離第二多量子阱發光層（52）的一側電性連接有第二N型電極（72）；

還包括有用于封裝LED外延片（a2）的封裝部（a3），所述封裝部（a3）上設有多個出氣通道（a5），所述出氣通道（a5）用于將出氣開孔（12）與外界連通；所述金屬散熱底座（a1）設有多個進氣通道（a4），所述進氣通道（a4）用于將進氣開孔（11）與外界連通。

2.根據權利要求1所述的一種自散熱大功率整體LED封裝，其特征在于：所述P-GaN接觸層（4）厚度為500-550nm。

3.根據權利要求1所述的一種自散熱大功率整體LED封裝，其特征在于：所述第一多量子阱發光層（51）的厚度為13nm。

4.根據權利要求1所述的一種自散熱大功率整體LED封裝，其特征在于：所述第二多量子阱發光層（52）的厚度為13nm。

5.根據權利要求1所述的一種自散熱大功率整體LED封裝，其特征在于：所述金屬散熱底座（a1）底面設有散熱鰭片。

6.根據權利要求1所述的一種自散熱大功率整體LED封裝，其特征在于：所述金屬散熱底座（a1）內設有用于放置驅動器的放置腔。