[實用新型]一種多只MOSFET并聯均流結構的PCB板設計

有效

• 申請號: 201521100223.1
• 申請日: 2015-12-25
• 公開（公告）號: CN205283378U
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發明（設計）人: 許祥建
• 申請（專利權）人: 河北世紀恒興電子技術有限公司
• 主分類號: H02M1/06
• 分類號: H02M1/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及PCB布板結構技術領域，尤其涉及一種多只MOSFET并聯均 流結構的PCB板設計。

背景技術

本方案涉及一種新型的多只MOSFET并聯電流均衡結構。主要應用于微型 電動車電機驅動器，隨著國家新能源產業的發展，電動車行業也得到了巨大的 發展，尤其是電動車驅動技術，電機驅動器主要采用IGBT或者MOSFET作主要 功率器件，而IGBT目前市場價格高昂，MOSFET價格比較低廉，但隨電機驅動器 功率的增加，單只MOSFET的電流遠遠不能滿足驅動器的要求，多只MOSFET并 聯得到大量的采用。

多只MOSFET并聯雖然滿足了大功率電機驅動器的要求，但多只MOSFET并 聯電流均流也尤為重要，雖然MOSFET受溫度影響，也有一定的自舉均流能力， 但電路結構的設計對MOSFET均流也至關主要。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題，是針對上述存在的技術不足，提供了一 種多只MOSFET并聯均流結構的PCB板設計，采用了特殊的PCB布板結構技術設 計，解決了傳統并聯多只MOSFET電流不均流、易對MOSFET造成損害，破壞電 路結構的技術問題，達到了保證并聯電流均流，對MOSFET管起到保護作用的技 術效果；采用多只MOSFET并聯的技術結構，解決了單只MOSFET的電流遠遠不 能滿足驅動器的技術問題，達到了并聯MOSFET滿足了大功率電機驅動器的要求 的技術效果。

為解決上述技術問題，本實用新型所采用的技術方案是：包括鋁基板、并 聯MOSFET單元；并聯MOSFET單元焊接在鋁基板上，并聯MOSFET單元包括單元 A、單元B、單元C、單元D、單元E和單元F；單元A、單元B、單元C、單元D、 單元E和單元F從左到右依次焊接在鋁基板上；

單元A的柵極連接有控制模塊A，單元A的漏極連接有銅環A，銅環A焊接 在單元A的下側；單元A的源極一端與單元B的漏極連接，單元B的漏極連接 有銅環B，銅環B焊接在單元B的上側，單元B的柵極連接控制模塊A；控制模 塊A焊接在銅環B上側；單元B源極連接有銅環C，銅環C焊接在單元B和單元 C之間；

單元C的柵極連接有控制模塊B，單元C的漏極連接有銅環D，銅環D焊接 在單元C的下側；單元C的源極一端與單元D的漏極連接，單元D的漏極連接 有銅環E，銅環E焊接在單元D的上側，單元D的柵極連接控制模塊B；控制模 塊B焊接在銅環E上側；單元D源極連接有銅環F，銅環F焊接在單元D和單元 E之間；

單元E的柵極連接有控制模塊C，單元E的漏極連接有銅環G，銅環G焊接 在單元E的下側；單元E的源極一端與單元F的漏極連接，單元F的漏極連接 有銅環H，銅環H焊接在單元F的上側；單元F的柵極連接控制模塊C；控制模 塊C焊接在銅環H上側；單元F源極的另一端連接有銅環I，銅環I焊接在單元 F的右側；

進一步優化本技術方案，所述的單元A、單元B、單元C、單元D、單元E 和單元F分別為六只MOSFET并聯；

進一步優化本技術方案，所述的銅環A、銅環D和銅環G連接電源正極，銅 環B、銅環E和銅環H外接有電機；銅環C、銅環F和銅環I連接電源負極；

與現有技術相比，本實用新型具有以下優點：1、通過新型的PCB布板結構， 解決多只MOSFET并聯因結構而造成的電流均流問題；2、多只MOSFET并聯滿足 了大功率電機驅動器的要求；3、本PCB布板結構制作簡單、方便，易應用于實 際生活中。

附圖說明

圖1是本實用新型PCB結構圖；

圖2是本實用新型工作原理圖。

圖中，1、鋁基板；2、并聯MOSFET單元；21、單元A；22、單元B；23單 元C；24、單元D；25、單元E；26、單元F；31、控制模塊A；32、控制模塊B； 33、控制模塊C；41、銅環A；42、銅環B；43、銅環C；44、銅環D；45、銅環 E；46、銅環F；47、銅環G；48、銅環H；49、銅環I；5、電機。

具體實施方式