[實用新型]一種多只MOSFET并聯(lián)均流結(jié)構(gòu)的PCB板設(shè)計

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201521100223.1
• 申請日: 2015-12-25
• 公開（公告）號: CN205283378U
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許祥建
• 申請（專利權(quán)）人: 河北世紀恒興電子技術(shù)有限公司
• 主分類號: H02M1/06
• 分類號: H02M1/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種多只MOSFET并聯(lián)均流結(jié)構(gòu)的PCB板設(shè)計，其特征在于：包括鋁基板(1)、并聯(lián)MOSFET單元(2)；并聯(lián)MOSFET單元(2)焊接在鋁基板(1)上，并聯(lián)MOSFET單元(2)包括單元A(21)、單元B(22)、單元C(23)、單元D(24)、單元E(25)和單元F(26)；單元A(21)、單元B(22)、單元C(23)、單元D(24)、單元E(25)和單元F(26)從左到右依次焊接在鋁基板(1)上；

單元A(21)的柵極連接有控制模塊A(31)，單元A(21)的漏極連接有銅環(huán)A(41)，銅環(huán)A(41)焊接在單元A(21)的下側(cè)；單元A(21)的源極一端與單元B(22)的漏極連接，單元B(22)的漏極連接有銅環(huán)B(42)，銅環(huán)B(42)焊接在單元B(22)的上側(cè)，單元B(22)的柵極連接控制模塊A(31)；控制模塊A(31)焊接在銅環(huán)B(42)上側(cè)；單元B(22)源極的另一端連接有銅環(huán)C(43)，銅環(huán)C(3)焊接在單元B(22)和單元C(23)之間；

單元C(23)的柵極連接有控制模塊B(32)，單元C(23)的漏極連接有銅環(huán)D(44)，銅環(huán)D(44)焊接在單元C(23)的下側(cè)；單元C(23)的源極一端與單元D(24)的漏極連接，單元D(24)的漏極連接有銅環(huán)E(45)，銅環(huán)E(45)焊接在單元D(24)的上側(cè)，單元D(24)的柵極連接控制模塊B(32)；控制模塊B(32)焊接在銅環(huán)E(45)上側(cè)；單元D(24)源極的另一端連接有銅環(huán)F(46)，銅環(huán)F(46)焊接在單元D(24)和單元E(25)之間；

單元E(25)的柵極連接有控制模塊C(33)，單元E(25)的漏極連接有銅環(huán)G(47)，銅環(huán)G(47)焊接在單元E(25)的下側(cè)；單元E(25)的源極一端與單元F(26)的漏極連接，單元F(26)的漏極連接有銅環(huán)H(48)，銅環(huán)H(48)焊接在單元F(26)的上側(cè)；單元F(26)的柵極連接控制模塊C(33)；控制模塊C(33)焊接在銅環(huán)H(48)上側(cè)。單元F(26)源極的另一端連接有銅環(huán)I(49)，銅環(huán)I(49)焊接在單元F(26)的右側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多只MOSFET并聯(lián)均流結(jié)構(gòu)的PCB板設(shè)計，其特征在于：單元A(21)、單元B(22)、單元C(23)、單元D(24)、單元E(25)和單元F(26)分別為六只MOSFET并聯(lián)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多只MOSFET并聯(lián)均流結(jié)構(gòu)的PCB板設(shè)計，其特征在于：銅環(huán)A(41)、銅環(huán)D(44)和銅環(huán)G(47)連接電源正極，銅環(huán)B(42)、銅環(huán)E(45)和銅環(huán)H(48)外接有電機(5)；銅環(huán)C(43)、銅環(huán)F(46)和銅環(huán)I(49)連接電源負極。