[實用新型]一種集熱膜的真空鍍膜設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201521086942.2
• 申請日: 2015-12-23
• 公開（公告）號: CN205295449U
• 公開（公告）日: 2016-06-08
• 發(fā)明（設計）人: 陳五奎;劉強;黃振華;李潔鳳
• 申請（專利權）人: 深圳市拓日新能源科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

技術領域

本實用新型屬于真空鍍膜設備的領域，尤其涉及集熱膜的真空鍍膜設備。

背景技術

集熱類產品是一種能夠利用太陽能進行光熱轉換的產品，其一般包括基片 箔膜及設于基片箔膜上的集熱膜。其中，集熱膜通常采用噴涂或者涂刷的方式 設置于基片箔膜上。以基片箔膜上焊接有水管的集熱類產品為例，工作時，當 陽光照射到集熱膜后，由于光熱轉換作用，集熱膜層獲得熱能，再傳遞給基片 箔膜，使基片箔膜和水管溫度升高，水管內的水將會帶走熱量，以完成熱交換。 但是，該集熱類產品仍然存在這樣的問題：集熱膜采用噴涂或涂刷的方式設于 基片箔膜上，其集熱膜與基片箔膜的結合強度低，集熱膜于基片箔膜上的沉積 速率低，集熱效率低。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種集熱膜的真空鍍膜設備，旨在解決現(xiàn)有鍍 膜方式所存在的集熱膜與基片箔膜的結合強度低、沉積速率低和集熱效率低的 問題。

為解決上述技術問題，本實用新型提供了集熱膜的真空鍍膜設備，包括腔 體，所述腔體具有密閉腔室，所述腔室中設有滾筒組、卷繞于所述滾筒組上的 基片箔膜以及與所述基片箔膜相對設置的弧源，所述弧源包括陰極和陽極，所 述陰極上設有用于朝所述基片箔膜濺射金屬等離子體的靶材，所述腔室連接有 用于控制所述弧源電流的控制箱、用于對所述腔室抽真空的抽空裝置和用于往 所述腔室內通入氬氣、氧氣及氮氣的混合氣體的儲氣裝置。

進一步地，所述滾筒組包括放料筒、收料筒及設于所述放料筒和所述收料 筒之間的中間卷筒，所述基片箔膜依序沿所述放料筒、所述中間卷筒及所述收 料筒卷繞傳動。

進一步地，所述基片箔膜具有卷繞于所述中間卷筒的弧段，與所述弧段相 對的位置上設有用于產生磁場以使所述金屬等離子體均勻濺射于所述弧段上的 磁性元件。

進一步地，所述磁性元件成對設置于所述弧段兩側且位于所述弧段的中心 線上。

進一步地，所述靶材與所述弧段相對設置且位于所述弧段的中心線上。

進一步地，所述腔室中設有用于監(jiān)視所述金屬等離子體在所述基片箔膜上 沉積均勻度的視頻監(jiān)控器。

進一步地，所述腔室中設有用于測量所述金屬等離子體于所述基片箔膜上 的附著厚度的臺階儀。

進一步地，所述儲氣裝置包括用于儲存氬氣的第一儲氣罐、用于儲存氧氣 的第二儲氣罐及用于儲存氮氣的第三儲氣罐，所述第一儲氣罐、所述第二儲氣 罐及所述第三儲氣罐分別通過管道與所述腔室相通。

進一步地，所述管道上設有氣體控制閥。

進一步地，所述抽空裝置為真空泵。

本實用新型提供的顯示裝置的有益效果：

上述集熱膜的真空鍍膜設備，將基片箔膜、滾筒組和弧源設置于密閉腔室 內。弧源包括陰極和陽極，將靶材安裝于陰極上。弧源通過陰極和陽極之間的 弧光放電，促使陰極上的靶材熔化，并濺射金屬等離子體。膜層鍍制時，先采 用抽空裝置對腔室抽真空，以確保腔室呈真空狀態(tài)，接著，往腔室內通入氬氣、 氧氣及氮氣的混合氣體，通氣后，驅使?jié)L筒組勻速轉動，使得基片箔膜勻速傳 動，最后，給弧源通電，并給基片箔膜施加負偏電壓，至此，完成膜層的鍍制。

綜上所述，上述集熱膜的真空鍍膜設備，在密閉腔室內，將靶材設置于弧 源的陰極上，使靶材朝基片箔膜濺射金屬等離子體，并對腔室內金屬等離子體 的濺射條件進行調節(jié)，例如，對腔室內氬氣、氧氣及氮氣的混合氣體流量、基 片箔膜的移動線速度、弧源的電流和基片箔膜的負偏電壓進行調節(jié)，使得金屬 等離子體于基片箔膜上均勻沉積，并形成集熱膜。因此，相比較現(xiàn)有技術而言， 采用集熱膜的真空鍍膜設備，于基片箔膜上鍍制集熱膜，其集熱膜與基片箔膜 的結合強度高，集熱膜于基片箔膜上的沉積速率高，集熱效率高。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例提供的集熱膜的真空鍍膜設備的結構示意圖；

圖2是本實用新型實施例提供的集熱膜的真空鍍膜設備的另一結構示意 圖。

具體實施方式

為了使本實用新型的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖 及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體 實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

如圖1～2所示，為本實用新型提供的較佳實施例。