[實(shí)用新型]一種集熱膜的真空鍍膜設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201521086942.2
• 申請(qǐng)日: 2015-12-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN205295449U
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳五奎;劉強(qiáng);黃振華;李潔鳳
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市拓日新能源科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/35
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/35
• 代理公司: 深圳中一專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

1.集熱膜的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括腔體，所述腔體具有密閉腔 室，所述腔室中設(shè)有滾筒組、卷繞于所述滾筒組上的基片箔膜以及與所述基片 箔膜相對(duì)設(shè)置的弧源，所述弧源包括陰極和陽(yáng)極，所述陰極上設(shè)有用于朝所述 基片箔膜濺射金屬等離子體的靶材，所述腔室連接有用于控制所述弧源電流的 控制箱、用于對(duì)所述腔室抽真空的抽空裝置和用于往所述腔室內(nèi)通入氬氣、氧 氣及氮?dú)獾幕旌蠚怏w的儲(chǔ)氣裝置。

2.如權(quán)利要求1所述的集熱膜的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述滾筒組 包括放料筒、收料筒及設(shè)于所述放料筒和所述收料筒之間的中間卷筒，所述基 片箔膜依序沿所述放料筒、所述中間卷筒及所述收料筒卷繞傳動(dòng)。

3.如權(quán)利要求2所述的集熱膜的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述基片箔 膜具有卷繞于所述中間卷筒的弧段，與所述弧段相對(duì)的位置上設(shè)有用于產(chǎn)生磁 場(chǎng)以使所述金屬等離子體均勻?yàn)R射于所述弧段上的磁性元件。

4.如權(quán)利要求3所述的集熱膜的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述磁性元 件成對(duì)設(shè)置于所述弧段兩側(cè)且位于所述弧段的中心線上。

5.如權(quán)利要求3或4所述的集熱膜的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述靶 材與所述弧段相對(duì)設(shè)置且位于所述弧段的中心線上。

6.如權(quán)利要求3或4所述的集熱膜的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述腔 室中設(shè)有用于監(jiān)視所述金屬等離子體在所述基片箔膜上沉積均勻度的視頻監(jiān)控 器。

7.如權(quán)利要求6所述的集熱膜的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述腔室中 設(shè)有用于測(cè)量所述金屬等離子體于所述基片箔膜上的附著厚度的臺(tái)階儀。

8.如權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的集熱膜的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所 述儲(chǔ)氣裝置包括用于儲(chǔ)存氬氣的第一儲(chǔ)氣罐、用于儲(chǔ)存氧氣的第二儲(chǔ)氣罐及用 于儲(chǔ)存氮?dú)獾牡谌齼?chǔ)氣罐，所述第一儲(chǔ)氣罐、所述第二儲(chǔ)氣罐及所述第三儲(chǔ)氣 罐分別通過(guò)管道與所述腔室相通。

9.如權(quán)利要求8所述的集熱膜的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述管道上 設(shè)有氣體控制閥。

10.如權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的集熱膜的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于， 所述抽空裝置為真空泵。