[實用新型]大面積發光二極管照明裝置有效
| 申請號: | 201521073465.6 | 申請日: | 2015-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN205248298U | 公開(公告)日: | 2016-05-18 |
| 發明(設計)人: | 蔡秈蕓;李佳珍;彭浩婷;李淑芬 | 申請(專利權)人: | 蔡秈蕓;李佳珍;彭浩婷;李淑芬 |
| 主分類號: | H01L33/20 | 分類號: | H01L33/20;H01L33/38;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355 | 代理人: | 張雅軍 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 大面積 發光二極管 照明 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種照明裝置,特別是涉及一種大面積發光二極 管照明裝置。
背景技術
近年來,基于節能照明的需求與日俱增,開發大面積照明裝置的 需求也應運而生,特別是結合發光二極管(LED)的大面積照明裝置。 參閱圖1及圖2,如經中國臺灣核準公告的第I224873證書號發明專 利案(以下稱前案1)所公開的一種發光二極管發光模塊1,主要包含一 散熱基板11、多個發光晶粒(chip)12、多個彼此電性串連且設置于該 散熱基板11上的n型電極13,及多個彼此電性串連且設置于該散熱 基板11上的p型電極14。各發光晶粒12上設置有一n型金屬凸塊 121及一p型金屬凸塊122。
所述發光晶粒12是一表面磊制有一發光膜層結構的磊晶基板(圖 未示)經由多道的晶粒切割程序(dicing)所形成。在該前案1的詳細制 作流程中,所述發光晶粒12是采用覆晶(flipchip)的做法,在一第一 晶粒切割程序尚未切斷該磊晶基板前,直接令設置于各發光晶粒12 上的n型金屬凸塊121及p型金屬凸塊122,分別對位設置于該散熱 基板11上的各n型電極13及各p型電極14;再通過電焊或熔接等表 面黏著技術(SMT)設置于該散熱基板11上,以使各發光晶粒12的n 型金屬凸塊121與p型金屬凸塊122對應結合至各n型電極13與各p 型電極14;最后,再通過一第二晶粒切割程序以斷開該磊晶基板并使 所述發光晶粒12彼此間隔設置于該散熱基板11之上。在經由電流導 通后,該散熱基板11上的彼此電性串連的所述n型電極13及所述彼 此電性串連的p型電極14則得以點亮所述發光晶粒12并產生大面積 的發光區域。然而,為產生大面積的發光區域,所述發光晶粒12須 通過上述第一晶粒切割程序、表面黏著技術與第二晶粒切割程序等三 道程序才可產生大面積的發光區域,其步驟較為繁瑣,且制造成本較 高。
經上述說明可知,改良大面積發光二極管照明裝置的結構以簡化 制造程序,是此技術領域的相關技術人員所待突破的難題。
發明內容
本實用新型的目的在于提供一種大面積發光二極管照明裝置。
本實用新型的大面積發光二極管照明裝置,包含一磊晶基板、一 發光膜層結構,及至少一電極單元。該磊晶基板的尺寸大于或等于1 英寸。該發光膜層結構包括一設置于該磊晶基板的上的第一型半導體 層、一設置于該第一型半導體層上的主動層,及一設置于該主動層上 的第二型半導體層。該發光膜層結構的一尺寸是大于或等于1英寸并 定義出至少一晶粒,且該晶粒是自該第一型半導體層朝該第二型半導 體層凸伸,并局部裸露出該第一型半導體層以定義出該晶粒的一平 臺。該電極單元包括一第一電極及一第二電極。該第一電極電連接且 設置于該晶粒的平臺上,該第二電極電連接于該晶粒的第二型半導體 層。
本實用新型的大面積發光二極管照明裝置,該發光膜層結構的晶 粒包括一透明導電層,該透明導電層設置于該晶粒的該第二型半導體 層上。
本實用新型的大面積發光二極管照明裝置,該電極單元還包括多 個第一電極線與多個第二電極線,所述第一電極線電連接于該第一電 極且向該第二電極延伸,所述第二電極線電連接于該第二電極且向該 第一電極延伸。
本實用新型的大面積發光二極管照明裝置,還包含一絕緣保護層 與一圖案化金屬導電層,且該電極單元與該發光膜層結構的晶粒的數 量為多個,每兩相鄰晶粒的第一型半導體層是彼此連接或是彼此絕緣 獨立,且各晶粒的平臺圍設其對應的向上凸伸的部分各第一型半導體 層、各主動層及各第二型半導體層,該絕緣保護層覆蓋各晶粒,但使 各晶粒上的第一電極與第二電極顯露于外,該圖案化金屬導電層設置 于該絕緣保護層上,且電連接每兩相鄰晶粒。
本實用新型的大面積發光二極管照明裝置,該圖案化金屬導電層 包括多個第一導電區,且所述第一導電區是電連接每兩相鄰晶粒上的 第一電極與第二電極,以使所述晶粒以電串聯方式導通。
本實用新型的大面積發光二極管照明裝置,該圖案化金屬導電層 還包括多個第二導電區,且所述第二導電區是電連接每兩相鄰晶粒間 的第一電極與每兩相鄰晶粒間的第二電極,以使所述晶粒以電并聯方 式導通。
本實用新型的有益效果在于,該磊晶基板與該發光膜層結構無須 切割,可使該晶粒在電流導通下直接于磊晶基板上呈現出大于等于1 英寸的發光面積,借此,可簡化制造程序,并降低制造成本。
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