[實(shí)用新型]大面積發(fā)光二極管照明裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201521073465.6 | 申請日： | 2015-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN205248298U | 公開（公告）日： | 2016-05-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蔡秈蕓;李佳珍;彭浩婷;李淑芬 | 申請（專利權(quán)）人： | 蔡秈蕓;李佳珍;彭浩婷;李淑芬 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01L33/38;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京泰吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11355 | 代理人： | 張雅軍 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 大面積 發(fā)光二極管 照明 裝置 | ||
1.一種大面積發(fā)光二極管照明裝置，其特征在于：包含：
一磊晶基板，尺寸大于或等于1英寸；
一發(fā)光膜層結(jié)構(gòu)，包括一設(shè)置于該磊晶基板上的第一型半導(dǎo) 體層、一設(shè)置于該第一型半導(dǎo)體層上的主動(dòng)層，及一設(shè)置于該主 動(dòng)層上的第二型半導(dǎo)體層，該發(fā)光膜層結(jié)構(gòu)的一尺寸是大于或等 于1英寸并定義出至少一晶粒，且該晶粒是自該第一型半導(dǎo)體層 朝該第二型半導(dǎo)體層凸伸，并局部裸露出該第一型半導(dǎo)體層以定 義出該晶粒的一平臺；及
至少一電極單元，包括一第一電極及一第二電極，該第一電 極電連接且設(shè)置于該晶粒的平臺上，該第二電極電連接于該晶粒 的第二型半導(dǎo)體層。
2.如權(quán)利要求1所述的大面積發(fā)光二極管照明裝置，其特征 在于：該發(fā)光膜層結(jié)構(gòu)的晶粒包括一透明導(dǎo)電層，該透明導(dǎo)電層設(shè) 置于該晶粒的第二型半導(dǎo)體層上。
3.如權(quán)利要求2所述的大面積發(fā)光二極管照明裝置，其特征 在于：該電極單元還包括多個(gè)第一電極線與多個(gè)第二電極線，所述 第一電極線電連接于該第一電極且向該第二電極延伸，所述第二電 極線電連接于該第二電極且向該第一電極延伸。
4.如權(quán)利要求3所述的大面積發(fā)光二極管照明裝置，其特征 在于：該大面積發(fā)光二極管照明裝置還包含一絕緣保護(hù)層與一圖案 化金屬導(dǎo)電層，且該電極單元與該發(fā)光膜層結(jié)構(gòu)的晶粒的數(shù)量為多 個(gè)，每兩相鄰晶粒的第一型半導(dǎo)體層是彼此連接或是彼此絕緣獨(dú)立， 且各晶粒的平臺圍設(shè)其對應(yīng)的向上凸伸的部分各第一型半導(dǎo)體層、 各主動(dòng)層及各第二型半導(dǎo)體層，該絕緣保護(hù)層覆蓋各晶粒，但使各 晶粒上的第一電極與第二電極顯露于外，該圖案化金屬導(dǎo)電層設(shè)置 于該絕緣保護(hù)層上，且電連接每兩相鄰晶粒。
5.如權(quán)利要求4所述的大面積發(fā)光二極管照明裝置，其特征 在于：該圖案化金屬導(dǎo)電層包括多個(gè)第一導(dǎo)電區(qū)，且所述第一導(dǎo)電 區(qū)是電連接每兩相鄰晶粒上的第一電極與第二電極，以使所述晶粒 以電串聯(lián)方式導(dǎo)通。
6.如權(quán)利要求5所述的大面積發(fā)光二極管照明裝置，其特征 在于：該圖案化金屬導(dǎo)電層還包括多個(gè)第二導(dǎo)電區(qū)，且所述第二導(dǎo) 電區(qū)是電連接每兩相鄰晶粒間的第一電極與每兩相鄰晶粒間的第二 電極，以使所述晶粒以電并聯(lián)方式導(dǎo)通。
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