[實(shí)用新型]一種AlInP基藍(lán)光探測器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201521071523.1
• 申請日: 2015-12-18
• 公開（公告）號: CN205211780U
• 公開（公告）日: 2016-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李國強(qiáng);張子辰;林志霆;陳淑琦
• 申請（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號: H01L31/101
• 分類號: H01L31/101;H01L31/0304
• 代理公司: 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245
• 代理人: 陳文姬

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及可見光探測器，特別涉及一種AlInP基藍(lán)光探測器。

背景技術(shù)

隨著移動設(shè)備對無線頻譜的需求越來越高，造成網(wǎng)絡(luò)頻譜資源相對短缺。 隨著可見光通信技術(shù)的逐漸興起，不僅能有效的緩解網(wǎng)絡(luò)頻譜枯竭的困境，而 且能實(shí)現(xiàn)綠色通信。

現(xiàn)有的可見光探測器主要由硅鍺半導(dǎo)體為主要材料制作而成其具有數(shù)據(jù)傳 輸速率高、無有害射頻輻射、安全性好等特點(diǎn)，但是由于響應(yīng)峰值與主光源發(fā) 光波長(藍(lán)光波段)不一致導(dǎo)致探測器靈敏度低，噪聲大；另外，Si本身的禁 帶寬度較窄，對藍(lán)光響應(yīng)度不高，需要加濾波片，也從而增加了成本、增大體 積、減弱入射光信號等。因此，為了目前產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求，急切需要設(shè)計一種針 對藍(lán)光波段的新型探測器。

實(shí)用新型內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點(diǎn)與不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種 AlInP基藍(lán)光探測器，可以實(shí)現(xiàn)直接對藍(lán)光波段電磁波的針對性吸收，而不需要 額外添加濾波片。

本實(shí)用新型的目的通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種AlInP基藍(lán)光探測器，包括依次設(shè)置的基底、第一n-AlInP層、第一 p-AlInP層、第二n-AlInP層、第二p-AlInP層、第三p-AlInP層；

還包括SiO₂層、第一Au電極和第二Au電極；所述SiO₂層與第一p-AlInP 層、第二n-AlInP層、第二p-AlInP層的側(cè)面相接觸；所述SiO₂層還與第一n-AlInP 層的露出的表面相接觸；所述第一Au電極設(shè)于SiO₂層的表面；所述第二Au電 極設(shè)于第一n-AlInP層的露出的表面。

所述基底的厚度為200～500μm；第一n-AlInP層的厚度為0.1～10μm；第一 p-AlInP層的厚度為0.1～20μm；第二n-AlInP層的厚度為0.1～10μm；第二p-AlInP 層的厚度為0.1～20μm；第三p-AlInP層的厚度為0.1～10μm；SiO₂層的厚度為 0.1～20μm；第一Au電極的厚度為0.5～10μm；第二Au電極的厚度為0.5～10μm。

所述基底為GaAs基底。

所述的AlInP基藍(lán)光探測器的制備方法，包括以下步驟：

(1)將基底在400～700℃下預(yù)處理；

(2)在基底上采用金屬有機(jī)化合物氣相外延技術(shù)生長第一n-AlInP層，硅 摻雜濃度為1×10¹⁸～9×10¹⁸cm^-3；

(3)在第一n-AlInP層上采用金屬有機(jī)化合物氣相外延技術(shù)生長第一 p-AlInP層，鈹摻雜濃度為1×10¹¹～9×10¹¹cm^-3；

(4)在第一p-AlInP層上采用金屬有機(jī)化合物氣相外延技術(shù)生長第二n- AlInP層；硅摻雜濃度約為1×10¹⁷～9×10¹⁷cm^-3；

(5)在第二n-AlInP層上采用金屬有機(jī)化合物氣相外延技術(shù)生長第二 p-AlInP層，鈹摻雜濃度為1×10¹¹～9×10¹¹cm^-3；

(6)在第二p-AlInP層上采用金屬有機(jī)化合物氣相外延技術(shù)生長第三 p-AlInP層，鈹摻雜濃度為1×10¹⁸～9×10¹⁸cm^-3；

(7)采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)沉積SiO₂層用作絕緣層，所述 SiO₂層與第一p-AlInP層、第二n-AlInP層、第二p-AlInP層的側(cè)面相接觸，還 與第一n-AlInP層露出的表面相接觸；

(8)在SiO₂層的表面采用電子束蒸發(fā)制備Au層作為第一Au電極；

(9)在第一n-AlInP層露出的表面上采用電子束蒸發(fā)制備Au層作為第二 Au電極。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)和有益效果：

1.本實(shí)用新型的AlInP基藍(lán)光探測器，采用了AlInP材料作為吸收材料，主 要針對藍(lán)光波段電磁波進(jìn)行有效吸收。