[實用新型]一種AlInP基藍光探測器有效

申請號：	201521071523.1	申請日：	2015-12-18
公開（公告）號：	CN205211780U	公開（公告）日：	2016-05-04
發明（設計）人：	李國強;張子辰;林志霆;陳淑琦	申請（專利權）人：	華南理工大學
主分類號：	H01L31/101	分類號：	H01L31/101;H01L31/0304
代理公司：	廣州市華學知識產權代理有限公司 44245	代理人：	陳文姬
地址：	510640 廣***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種 alinp 基藍光探測器
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【權利要求書】：

1.一種AlInP基藍光探測器，其特征在于，包括依次設置的基底、第一 n-AlInP層、第一p-AlInP層、第二n-AlInP層、第二p-AlInP層、第三p-AlInP 層；

還包括SiO₂層、第一Au電極和第二Au電極；所述SiO₂層與第一p-AlInP 層、第二n-AlInP層、第二p-AlInP層的側面相接觸；所述SiO₂層還與第一n-AlInP 層的露出的表面相接觸；所述第一Au電極設于SiO₂層的表面；所述第二Au電極設于第一n-AlInP層的露出的表面。

2.根據權利要求1所述的AlInP基藍光探測器，其特征在于，所述基底的厚度為200～500μm；第一n-AlInP層的厚度為0.1～10μm；第一p-AlInP層的厚度為0.1～20μm；第二n-AlInP層的厚度為0.1～10μm；第二p-AlInP層的厚度為 0.1～20μm；第三p-AlInP層的厚度為0.1～10μm；SiO₂層的厚度為0.1～20μm；第一Au電極的厚度為0.5～10μm；第二Au電極的厚度為0.5～10μm。

3.根據權利要求1所述的AlInP基藍光探測器，其特征在于，所述基底為 GaAs基底。

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